MJ11012G ON Semiconductor, MJ11012G Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: MJ11012G
• Description: TRANS DARL NPN 30A 60V TO-3
• Manufacturer: ON Semiconductor
• Type: High Current, Powerr

Specifications of MJ11012G

• Transistor Type: NPN - Darlington
• Current - Collector (ic) (max): 30A
• Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 60V
• Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
• Current - Collector Cutoff (max): 1mA
• Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
• Power - Max: 200W
• Frequency - Transition: 4MHz
• Mounting Type: Chassis Mount
• Package / Case: TO-204, TO-3
• Configuration: Single
• Transistor Polarity: NPN
• Mounting Style: Through Hole
• Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 60 V
• Emitter- Base Voltage Vebo: 5 V
• Collector- Base Voltage Vcbo: 60 V
• Maximum Dc Collector Current: 30 A
• Power Dissipation: 200 W
• Maximum Operating Temperature: + 200 C
• Continuous Collector Current: 30 A
• Dc Collector/base Gain Hfe Min: 200, 1000
• Minimum Operating Temperature: - 55 C
• Current, Gain: 200
• Current, Input: 1 A
• Current, Output: 30 A
• Current, Output, Leakage: 1
• Package Type: TO-204AA (TO-3)
• Polarity: NPN
• Primary Type: Si
• Voltage, Collector To Emitter, Saturation: 4 V
• Voltage, Input: 5 V
• Voltage, Output: 60 V
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Other names: MJ11012G; MJ11012GOS

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 μs, Duty Cycle v 2.0%.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS(1)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Breakdown Voltage(1)
Collector−Emitter Leakage Current
Emitter Cutoff Current
Collector−Emitter Leakage Current
DC Current Gain
Collector−Emitter Saturation Voltage
Base−Emitter Saturation Voltage
Current−Gain Bandwidth Product
(I
(V
(V
(V
(V
(V
(V
(I
(I
(I
(I
(I
(I
(I
C
C
C
C
C
C
C
C
CE
CE
CE
CE
BE
CE
= 100 mAdc, I
= 20 Adc,V
= 30 Adc, V
= 20 Adc, I
= 30 Adc, I
= 20 A, I
= 30 A, I
= 10 A, V
= 5 Vdc, I
= 60 Vdc, R
= 120 Vdc, R
= 60 Vdc, R
= 120 Vdc, R
= 50 Vdc, I
B
B
CE
= 200 mAdc)
= 300 mAdc)
B
B
CE
C
CE
= 3 Vdc, f = 1 MHz)
= 200 mAdc)
= 300 mAdc)
B
BASE
= 0)
B
BE
BE
MJ11015
= 5 Vdc)
= 0)
= 5 Vdc)
BE
BE
PNP
= 0)
= 1k ohm)
= 1k ohm, T
= 1k ohm)
= 1k ohm, T
≈ 8.0 k
Characteristics
C
C
= 150_C)
= 150_C)
(T
C
≈ 40
Figure 1. Darlington Circuit Schematic
= 25_C unless otherwise noted.)
COLLECTOR
EMITTER
http://onsemi.com
MJ11012
MJ11015, MJ11016
MJ11015, MJ11016
MJ11012
MJ11015, MJ11016
MJ11012
2
BASE
MJ11012
MJ11016
NPN
≈ 8.0 k
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
V
Symbol
≈ 40
V
V
(BR)CEO
COLLECTOR
I
I
I
CE(sat)
BE(sat)
h
CER
EBO
CEO
h
FE
EMITTER
fe
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
1000
Min
120
200
60
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
4
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Max
3.5
−
−
1
1
5
5
5
1
−
−
3
4
5
−
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
mAdc
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
−