Description:
The NTE379 is a silicon NPN transistor in a TO220 type package designed for high–voltage, high–
speed power switching inductive circuits where fall time is critical. This device is particularly suited
for 115 and 220V switch–mode applications such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls,
Solenoid/Relay drivers, and Deflection circuits.
Features:
D V
D Reverse Bias SOA with Inductive Loads @ T
D 700V Blocking Capability
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
Collector–Emitter Voltage, V
Emitter–Base Voltage, V
Collector Current, I
Base Current, I
Emitter Current, I
Total Power Dissipation (T
Total Power Dissipation (T
Operating Junction Temperature Range, T
Storage Temperature Range, T
Thermal Resistance, Junction to Case, R
Thermal Resistance, Junction to Ambient, R
Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case for 5sec), T
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle
CEO(sus)
Continuous
Peak (Note 1)
Continuous
Peak (Note 1)
Continuous
Peak (Note 1)
Derate Above 25 C
Derate Above 25 C
= 400V
B
E
C
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EBO
Power Amp, High Voltage, Switch
A
C
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= +25 C), P
= +25 C), P
CEO(sus)
CEV
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stg
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Silicon NPN Transistor
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D
D
thJC
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J
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NTE379
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thJA
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C
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= +100 C
10%.
L
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–65 to +150 C
–65 to +150 C
800mW/ C
16mW/ C
1.25 C/W
62.5 C/W
+275 C
100W
400V
700V
12A
24A
12A
18A
36A
2W
9V
6A