MCH5810 Sanyo Semiconductor Corporation, MCH5810 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: MCH5810
• Description: Mosfet : P-channel Silicon Mosfet SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

Switching Time Test Circuit
[MOSFET]
--4.5V
P.G
0V
--0.30
--0.25
--0.20
--0.15
--0.10
--0.05
PW=10 s
D.C. 1%
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
V IN
0
0
--0.1A
--0.1
--1
V IN
--0.2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
--2
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
I D = --0.2A
G
50
--0.3
--3
R DS (on) -- V GS
V DD = --15V
I D -- V DS
--0.4
D
--4
S
--0.5
I D = --0.2A
R L =75
--5
MCH5810
--0.6
--6
V OUT
--0.7
--7
--0.8
--8
[MOSFET]
[MOSFET]
Ta=25 C
--0.9
--9
IT07653
IT08162
MCH5810
--1.0
--10
t rr Test Circuit
[SBD]
Duty 10%
10 s
--0.50
--0.45
--0.40
--0.35
--0.30
--0.25
--0.20
--0.15
--0.10
--0.05
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
50
0
0
--60
0
--40
--0.5
--5V
--20
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
100
Ambient Temperature, Ta -- C
--1.0
0
R DS (on) -- Ta
I D -- V GS
20
--1.5
10
40
--2.0
60
--2.5
80
V DS = --10V
100
No.8194-3/6
t rr
[MOSFET]
[MOSFET]
--3.0
120
IT07654
IT07656
--3.5
140