MCH5823 Sanyo Semiconductor Corporation, MCH5823 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: MCH5823
• Description: Mosfet : P-channel Silicon Mosfet SBD : Schottky Barrier Diode General-purpose Switching Device Applications
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

Switching Time Test Circuit
[MOSFET]
--0.4
--0.2
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
800
700
600
500
400
300
200
100
1.0
0.1
--0.01
0
0
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
I D = --0.1A
--10V
P.G
--0.1
0V
2
PW=10 s
D.C. 1%
--2
3
--0.2
V IN
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
5 7
--0.8A
--0.3
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
--0.4A
--4
--0.1
V IN
--0.4
I D -- V DS
50
G
y
fs -- I D
2
--0.5
--6
3
V DD = --10V
--0.6
D
5 7
S
--8
I D = --0.8A
R L =12.5
--0.7
--1.0
MCH5823
V GS = --2.5V
--0.8
V DS = --10V
2
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
V OUT
--10
Ta=25 C
3
--0.9
IT05615
IT05617
IT05613
5 7
MCH5823
--1.0
--12
t rr Test Circuit
[SBD]
Duty 10%
10 s
--0.01
--1.0
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
--0.1
700
600
500
400
300
200
100
0
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.4
0
--60
50
0
V DS = --10V
V GS =0
--40
--0.5
--20
--5V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
--0.6
Ambient Temperature, Ta -- C
100
--1.0
0
R DS (on) -- Ta
20
I D -- V GS
I F -- V SD
--1.5
40
10
--0.8
60
--2.0
80
--2.5
100
--1.0
120
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
No.7757-3/5
t rr
--3.0
140
IT05616
IT05618
IT05614
--1.2
--3.5
160