MCH5818 Sanyo Semiconductor Corporation, MCH5818 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: MCH5818
• Description: Mosfet : P-channel Silicon Mosfet SBD : Schottky Barrier Diode
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

1000
100
1.0
--10
1.0
0.1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
--0.01
--0.01
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
0
0
V DS = --10V
I D = --1.5A
2
2
20
3
3
Ambient Temperature, Ta -- C
5 7
5 7
40
1
Total Gate Charge, Qg -- nC
Drain Current, I D -- A
--0.1
Drain Current, I D -- A
--0.1
SW Time -- I D
60
V GS -- Qg
t d (on)
P D -- Ta
y
2
2
fs -- I D
3
3
80
2
5 7
5 7
100
--1.0
--1.0
120
3
2
2
V DD = --10V
V GS = --10V
V DS = --10V
3
3
140
IT05617
IT05619
IT05621
IT07174
5 7 --10
5 7
--10
160
MCH5818
4
--0.01
--0.01
--1.0
--1.0
--0.1
--0.1
100
--10
--10
10
--0.01
3
--0.4
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
2
7
5
3
2
0
Ta=25 C
Single pulse
Mounted on a ceramic board(900mm
2 3
--2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Diode Forward Voltage, V SD -- V
5 7
--0.6
--0.1
Operation in this area
is limited by R DS (on).
--4
2 3
I F -- V SD
A S O
--0.8
--6
5 7
--1.0
2
0.8mm) 1unit
--8
2 3
--1.0
5 7 --10
10 s
--10
No.7754-4/5
f=1MHz
V GS =0
IT05618
IT05620
IT07173
100 s
2 3
--1.2
--12