PBSS4350T Philips Semiconductors, PBSS4350T Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: PBSS4350T
• Description: NPN low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
2004 Jan 09
handbook, halfpage
handbook, halfpage
50 V; 3 A NPN low V
V CEsat
V CEsat
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.6
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.8
(mV)
C
C
(mV)
/I
/I
B
B
10
10
10
10
10
= 10.
= 50.
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
10
10
1
4
3
2
3
2
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
10
10
10
10
(1)
2
(3)
(3)
(1)
2
CEsat
10
10
3
I C (mA)
3
(2)
(BISS) transistor
(2)
I C (mA)
MLD873
MLD871
10
10
4
4
6
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V CEsat
V CEsat
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.7
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.9
(mV)
C
C
(mV)
/I
/I
B
B
10
10
10
10
10
= 20.
= 100.
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
10
1
10
3
2
4
3
2
1
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
10
10
10
10
2
(1)
(3)
2
PBSS4350T
Product specification
10
10
(1)
(3)
3
I C (mA)
3
I C (mA)
(2)
MLD872
MLD874
(2)
10
10
4
4