2sc2249 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 2sc2249 Datasheet
2sc2249
Manufacturer Part Number
2sc2249
Description
Power Transistor
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet
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(2 pages)
2SC2249
Ｎ Ｐ Ｎ 三 重 拡 散 プ レ ー ナ 形
Ｎ Ｐ Ｎ 三 重 拡 散 プ レ ー ナ 形
Ｎ Ｐ Ｎ 三 重 拡 散 プ レ ー ナ 形
高 耐 圧 、
高 耐 圧 、
高 耐 圧 、 大 電 流 、
Ｎ Ｐ Ｎ 三 重 拡 散 プ レ ー ナ 形
Ｎ Ｐ Ｎ 三 重 拡 散 プ レ ー ナ 形
高 耐 圧 、
高 耐 圧 、
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
＊）
スイッチング時間
Item
高速
高速
大電流
大電流 High current
大電流
ﾁｮｯﾊﾟｰ
ﾁｮｯﾊﾟｰ
ﾁｮｯﾊﾟｰ
高速
高速
高速ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
高信頼性
高信頼性
高信頼性 High reliability
大電流
大電流
ﾓｰﾀｰ
ﾓｰﾀｰ
ﾓｰﾀｰ制御
ﾓｰﾀｰ
ﾓｰﾀｰ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀ Switching regulators
高周波
高周波
高周波
高周波
高周波ｲﾝﾊﾞｰﾀ
ﾁｮｯﾊﾟｰ
ﾁｮｯﾊﾟｰ
一般電力増幅
一般電力増幅
一般電力増幅
一般電力増幅
一般電力増幅 General purpose power amplifiers
高信頼性
高信頼性
ｽｲｯﾁﾝｸﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀ
電気的特性
電気的特性
熱 抵 抗
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
電気的特性
電気的特性
電気的特性
Item
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
用途
用途
用途
用途： ： ： ： ： Applications
用途
特長
特長
特長： ： ： ： ： Features
特長
特長
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ High speed switching
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
制御
制御 Motor controls
制御
制御
ｲﾝﾊﾞｰﾀ
ｲﾝﾊﾞｰﾀ
ｲﾝﾊﾞｰﾀ
ｲﾝﾊﾞｰﾀ High frequency inverters
大 電 流 、
大 電 流 、
大 電 流 、
大 電 流 、 高 速 ス イ ッ チ ン グ 用
Chopper
：
Electrical characteristics (T
Maximum ratings and characteristic
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
高 速 ス イ ッ チ ン グ 用
高 速 ス イ ッ チ ン グ 用
高 速 ス イ ッ チ ン グ 用
高 速 ス イ ッ チ ン グ 用
Symbol
V
V
V
V
I
I
P
T
T
B
C
R
Symbol
stg
C
j
CBO
CEO
CEO(SUS)
EBO
Symbol
V
V
V
V
I
I
h
V
V
t
t
t
CBO
EBO
on
stg
f
th(j-c)
FE
CBO
CEO
CEO(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
c
=25°C unless otherwise specified)
Rating
-55 to +150
Junction to case
Test Conditions
I
I
I
I
V
V
I
I
I
R
CBO
CEO
C
EBO
C
C
C
Test Conditions
+150
CBO
EBO
L
= 1A
= 15A, V
= 15A, I
= 25A, I
250
200
200
200
= 5 Ω , Pw = 20 µ s
30
10
= 1mA
= 10mA
= 0.1mA
7
= 250V
= 7V
B1
B
CE
= 3A
= -I
= 5V
B2
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE
HIGH CURRENT
HIGH SPEED SWITCHING
= 5A
Unit
°C
°C
W
V
V
V
V
A
A
Duty=<2%
FUJI POWER TRANSISTOR
JEDEC
EIAJ
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
外形寸法
外形寸法
Min.
Min.
200
250
200
10
7
TC-19, TB-30
Typ.
Typ.
-
Max.
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector(Case)
Max.
0.62
1.0
0.1
0.8
1.5
2.0
4.0
1.0
Units
Units
°C/W
V
V
V
V
mA
mA
V
V
µs
µs
µs
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R
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POWER TRANSISTOR MODULE
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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POWER TRANSISTOR MODULE
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT(1200V 8A)
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT MODULE(1200V 15A)
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT(600V,400A)
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT MODULE ( S-Series )
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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POWER DIODE MODULE
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT(600V 20A)
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT MODULE
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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