m470l3223dt0 Samsung Semiconductor, Inc., m470l3223dt0 Datasheet - Page 4
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m470l3223dt0
Manufacturer Part Number
m470l3223dt0
Description
256mb Ddr Sdram Module
Manufacturer
Samsung Semiconductor, Inc.
Datasheet
1.M470L3223DT0.pdf
(16 pages)
M470L3223DT0
DQS0
DM0
DQS1
DM1
DQS2
DM2
DQS3
DM3
BA0 - BA1
A0 - A13
RAS
CAS
CKE0
WE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
S0
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
BA0-BA1: DDR SDRAMs D0 - D7
A0-A13: DDR SDRAMs D0 - D7
RAS: SDRAMs D0 - D7
CAS: SDRAMs D0 - D7
CKE: SDRAMs D0 - D7
WE: SDRAMs D0 - D7
DQS
DM
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
DQS
DM
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
DQS
DM
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
DQS
DM
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
D0
D1
D2
D3
S
S
S
S
V
DD
V
DQS4
DM4
DQS5
DM5
DQS6
DM6
DQS7
DM7
VREF
V
V
DDSPD
/V
SS
DDID
DDQ
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
Strap: see Note 4
DQS
DM
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
DQS
DM
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
DQS
DM
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
DQS
DM
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
D0 - D7
D0 - D7
D0 - D7
D0 - D7
SPD
D4
D5
D6
D7
S
S
S
S
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recom-
mended but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must
be maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms.
4. VDDID strap connections
(for memory device VDD, VDDQ):
STRAP OUT (OPEN): VDD = VDDQ
STRAP IN (VSS): VDD
CK
CK
*Clock Net Wiring
SCL
WP
CK0/CK0
CK1/CK1
CK2/CK2
Clock
Input
R=120
Card
Edge
5%
SA0
A0
Clock Wiring
Rev. 0.0 Dec. 2001
Serial PD
VDDQ.
SA1
A1
4 SDRAMs
4 SDRAMs
SDRAMs
NC
SA2
A2
Dram1
Dram3
Dram2
Dram4
SDA