1di200zp-120 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 1di200zp-120 Datasheet

1di200zp-120

Manufacturer Part Number

1di200zp-120

Description

Power Transistor Module

Manufacturer

Fuji Electric holdings CO.,Ltd

Datasheet

1.1DI200ZP-120.pdf (4 pages)

Available stocks

Company

Part Number

Manufacturer

Quantity

Price

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

1DI200ZP-120

Manufacturer:

FUJI

Quantity:

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

1DI200ZP-120

Manufacturer:

FUJI

Quantity:

530

Company:

Meier Automation Equipment Co., Limited

Part Number:

1DI200ZP-120

Manufacturer:

FUJITSU/富士通

Quantity:

20 000

Company:

HONG KONG JIETUO ZIJING INTERNATIONAL TRADING CO., LIMITED

Part Number:

1DI200ZP-120

Quantity:

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

1di200zp-120-01

Quantity:

560

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1DI200ZP-120

パワートランジスタモジュール

POWER TRANSISTOR MODULE

パワートランジスタモジュール

POWER TRANSISTOR MODULE

Item

コレクタ・ベース間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧

エミッタ・ベース間電圧

コレクタしゃ断電流

エミッタしゃ断電流

コレクタ・エミッタ間電圧

直流電流増幅率

コレクタ・エミッタ飽和電圧

ベース・エミッタ飽和電圧

スイッチング時間

逆回復時間

短絡耐量

内蔵ﾂｪﾅｰﾀﾞｲｵｰﾄﾞのﾂｪﾅｰ電圧

内蔵ﾂｪﾅｰﾀﾞｲｵｰﾄﾞの順電圧

コレクタ・ベース間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧

エミッタ・ベース間電圧

コレクタ電流

ベース電流

コレクタ損失

内蔵ツェナーダイオード損失

接合部温度

保存温度

質量

絶縁耐圧 AC.1min

締付けトルク

ｽﾅﾊﾞ

ｽﾅﾊﾞ用用用用用ﾂｪﾅｰﾀﾞｲｵｰﾄﾞ

電気的特性

ｽﾅﾊﾞ

NC 工作機

hFE

hFE が高い

配線の簡略化

汎用

汎用ｲﾝﾊﾞｰﾀ

定格と特性

絶対最大定格

Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)

配線の簡略化

汎用

無停電電源装置

無停電電源装置 Uninterruptible Power Supply

定格と特性

絶対最大定格

短絡耐量保証可能

用途

用途：：：：： Applications

用途

特長

特長：：：：： Features

工作機

が高い

が高い H H H H High DC Current Gain

ｲﾝﾊﾞｰﾀ

ｲﾝﾊﾞｰﾀ General Purpose Inverter

ｲﾝﾊﾞｰﾀ

ﾂｪﾅｰﾀﾞｲｵｰﾄﾞ

ﾂｪﾅｰﾀﾞｲｵｰﾄﾞ内臓

：

Electrical characteristics (T

Servo & Spindle Driver for NC Machine Tools

: Maximum ratings and characteristic

D C

1ms

one Transistor

内臓

Symbol

-Ic

Viso

Mounting *1

Terminal *2

Symbol

-V

EBO

stg

CBO

CEO

CEO(SUS)

EBO

CBO

stg

CEO(SUS)

CEX(SUS)

EBO

CE(Sat)

BE(Sat)

CBO

CEO

=25°C unless otherwise specified)

Rating

(200A)

Test Conditions

-Ic=200A

-40 to +125

CBO

CEO

EBO

CBO

EBO

=120mA

=200A

=4A

= 200A, V

= 200A, I

= 200A

1200

1400

+150

2500

=+2.8A, I

= +2.8A, I

200

400

100

430

200

= -3V

= 4mA

= 800mA

= 10V

= 1200V

3.5

1.7

4.5

= 280mA

=-4.0A, P

= 5V

= 2.8V, Tj=125 °C

= -4.0A

Unit

°C

N･m

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE

=50µ s

Note:

*1:推奨値 Recommendable Value;

*2:推奨値 Recommendable Value;

CASE

外形寸法

外形寸法: : : : : Outline Drawings

外形寸法

等価回路

等価回路 : : : : :

等価回路

Equivalent Circuit Schematic

外形寸法

等価回路

Min.

1200

750

100

M114

2.5to3.5N･m[25to35kgf･cm](M5)

1.3to1.7N･m[13to17kgf･cm](M4)

3.5to4.5N･m[35to45kgf･cm](M6)

E82988(M)

Typ.

800

Max.

15.0

4.0

2.0

2.8

3.5

3.0

2.0

0.8

1.5

Units

µs

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