evl32-055 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, evl32-055 Datasheet
evl32-055
Manufacturer Part Number
evl32-055
Description
Power Transistor Module
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet
1.EVL32-055.pdf
(3 pages)
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Part Number:
EVL32-055
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
27
Part Number:
EVL32-055
Manufacturer:
FUJITSU/富士通
Quantity:
20 000
Part Number:
EVL32-055
Quantity:
55
EVL32-055
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧 AC.1min
締付けトルク
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
逆回復時間
絶縁形
絶縁形
hFE
hFE
hFE が高い
絶縁形
絶縁形
絶縁形 Insulated Type
DCモータ
DCモータ
DCモータ
DCモータ
DCモータ制御
hFE
hFE
ACモータ
ACモータ
ACモータ制御
ACモータ
ACモータ
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
大電力
大電力
大電力
大電力
大電力スイッチング
無停電電源装置
無停電電源装置
無停電電源装置
無停電電源装置
無停電電源装置 Uninterruptible Power Supply
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード内臓
電気的特性
電気的特性
電気的特性
電気的特性
電気的特性
熱 抵 抗
Item
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
用途
用途
用途
用途
用途: : : : : Applications
特長
特長
特長
特長
特長: : : : : Features
が高い
が高い
が高い
が高い High DC Current Gain
制御
制御
制御
制御 DC Motor Controls
制御
制御
制御 AC Motor Controls
制御
スイッチング
スイッチング
スイッチング High Power Switching
スイッチング
:
Electrical characteristics (T
: Maximum ratings and characteristic
DC
D C
1ms
1ms
DC
one Transistor
two Transistor
内臓
内臓
内臓
内臓 Including Free Wheeling Diode
Symbol
V
V
V
V
I
I
-I
I
I
P
P
T
T
m
Viso
Mounting *1
Terminal *1
B
R
R
R
C
CP
BP
Symbol
C
C
C
j
stg
Symbol
V
V
V
V
V
I
I
-V
h
V
V
t
t
t
t
CBO
CEO
CEO(SUS)
EBO
CBO
EBO
on
stg
f
rr
th(j-c)
th(j-c)
th(c-f)
(120A)
FE
CBO
CEO
CEO(SUS)
CEX(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
CE
c
=25°C unless otherwise specified)
Rating
With Thermal Compound
Test Conditions
I
I
I
I
I
V
V
-Ic = 120A
I
I
I
I
Duty<=2%
-Ic = 120A, V
Diode
CBO
CEO
C
C
EB
C
C
C
B1
Transistor
-40 to +125
CB
EB
=120A, V
Test Conditions
= 1A
= 120A, V
= 120A, I
= 120A, P
1000
+150
2000
= 100mA
= +3.5A, I
600
600
550
120
240
120
500
450
= 600V
= 6V
= 1mA
= 1mA
16
6
8
3.5
3.5
EB
B
W
CE
B2
= 3.5A
BE
=6V, -I
=50 µs,
= -3.5A
= 5V
= -6V, -di/dt = 120A/ µ s
B
Unit
=3.5A
W
W
°C
°C
N・m
N・m
V
V
V
V
A
A
A
A
A
g
V
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
CASE
CASE
CASE
UL
UL
UL
CASE
CASE
UL
UL
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
外形寸法
外形寸法
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路 : : : : :
Equivalent Circuit Schematic
Min.
Min.
600
550
600
550
M203
M203
M203
M203
M203
2.5to3.0N・m[25to30kgf・cm](M5)
70
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
6
Typ.
Typ.
0.05
Max.
100
Max.
0.6
12.0
0.25
1.0
1.5
2.0
2.5
2.0
3.0
0.6
Units
Units
°C/W
°C/W
°C/W
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
V
V
µs
µs
µs
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