PHM8001_1 NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation], PHM8001_1 Datasheet
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PHM8001_1
Manufacturer Part Number
PHM8001_1
Description
800A 150V
Manufacturer
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet
1.PHM8001_1.pdf
(5 pages)
MOSFET
MOSFET
MOSFET
MOSFET
□
□ 電 電 電 電 気 気 気 気 的 的 的 的 特 特 特 特 性 性 性 性 :
特長
特長
特長
特長
* 大容量(800A
*
* 超低R
* 内臓ダイオードが高速
用途
用途
用途
用途
* バッテリフォークリフト用チョッパ
* 48V級直流電源制御用
ドレイン遮断電流
Zero Gate Voltage Drain Current
ゲート漏れ電流
Gate-Source Leakage Current
ゲートしきい値電圧
Gate-Source Threshold Voltage
ドレイン・ソース間オン抵抗(MOSFET部)
Drain-Source On-Resistance
ドレイン・ソース間オン電圧
Drain-Source On-Voltage
順伝達コンダクタンス
Forward Transconductance
最 最 最 最 大 大 大 大 定 定 定 定 格 格 格 格 :
入
出
帰
スイッチング時間
Switching Time
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
ド レ イ ン 電 流
Drain Current
Pulsed Drain Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
絶 縁 耐 圧(Terminal to Base AC,1minute)
Isolation Voltage
Mounting Torque
ド レ イ ン ・ ソ − ス 間 電 圧(V
締 め 付 け ト ル ク
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧
トレンチゲートMOSFETを搭載
全
保
パ ル ス ド レ イ ン 電 流
動
力
力
還
作
DS
存
接
(on):1.4mΩ(@800A)を実現
容
容
容
損
Characteristic
合
温
DC
量
量
量
MAXIMUM
MAXIMUM
MAXIMUM
MAXIMUM RATINGS
上 昇 時 間 Rise
ターンオン時間 Turn-on Time
下 降 時 間 Fall
ターンオフ時間 Turn-off Time
)です
温
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
ELECTRICAL
ELECTRICAL
ELECTRICAL
Item
Module
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
失
度
度
Module Base to Heatsink
Busbar to Main Terminal
GS
=0V)
DC 端子温度=80℃
−Single
Duty=50%
RATINGS
RATINGS
RATINGS
CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
Time
Time
(T
Symbol
Symbol
R
V
V
800 A, 150V
V
V
T
V
F
I
I
C
C
C
t
DS(on)
DS(on)
C
GS(th)
t
gfs
I
I
P
T
t
t
DSS
=25℃)
GSS
stg
ISO
tor
DSS
GSS
ies
oes
res
off
結 線 図
on
DM
D
j
r
f
D
V
V
V
DS
V
V
V
V
V
I
R
V
(T
DS
GS
GS
GS
DS
GS
DD
D
G
GS
Test Condition
=V
M4
M8
=400A
=0.75Ω
= 150V,V
= ±20V,V
=10V,I
=10V,I
=15V,I
=0V V
=80V
=-5V,+10V
C
GS
=25℃)
□ 外 外 外 外 形 形 形 形 寸 寸 寸 寸 法 法 法 法 図 図 図 図 :
,I
D
D
D
D
DS
=20mA
=800A
=800A
=800A
GS
DS
=10V
= 0V
= 0V
Rated Value
f=1MH
−40∼+150
−40∼+125
10.5(107)
1,600
2,650
2,500
1.4(14.3)
Z
3(30.6)
150
±20
800
640
OUTLINE
OUTLINE
OUTLINE
OUTLINE DRAWING
Min.
1.0
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
DRAWING
DRAWING
DRAWING
Typ.
1.15
1.10
1300
PHM8001
PHM8001
PHM8001
PHM8001
2.0
質量:約650g
165
500
880
180
−
−
20
20
Max.
1.25
4.8
4.8
3.2
1.4
−
−
−
−
−
−
−
Dimension:[mm]
Unit
V
(kgf・cm)
Unit
N・m
mA
μA
nF
pF
pF
ns
(RMS)
mΩ
V
V
A
A
W
℃
℃
V
V
Related parts for PHM8001_1
PHM8001_1 Summary of contents
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DC * トレンチゲートMOSFETを搭載 * 超低R (on):1.4mΩ(@800A)を実現 内臓ダイオードが高速 用途 用途 用途 用途 * バッテリフォークリフト用チョッパ * 48V級直流電源制御用 最 最 最 最 大 大 大 大 定 定 ...
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MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET Module −Single □内部逆方向ダイオードの定格 内部逆方向ダイオードの定格と特性 内部逆方向ダイオードの定格 内部逆方向ダイオードの定格 と特性 と特性: と特性 Source Drain Source Source Source Characteristic ソ−ス電流 Continuous Source Current パルスソ−ス電流 Pulsed Source Current ダイオード順電圧 Diode Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time THERMAL THERMAL ...
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Fig.1- Output Characteristics 1600 V =10V GE 1400 8V 1200 1000 800 600 400 200 0 0 0.5 1 1.5 2 Drain to Source Voltage V Fig.3- Drain to Source On Voltage vs. Junction ...
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Fig.7- Drain Current vs. Switching Time 1.2 V =80V DD R =0.75Ω =25℃ td(off) 0.8 0.6 0.4 td(on 0 200 400 Drain Current I Fig.9- ...
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...