PHM8001_1 NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation], PHM8001_1 Datasheet
PHM8001_1
Manufacturer Part Number
PHM8001_1
Description
800A 150V
Manufacturer
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet
1.PHM8001_1.pdf
(5 pages)
ＭＯＳＦＥＴ
ＭＯＳＦＥＴ
ＭＯＳＦＥＴ
ＭＯＳＦＥＴ
□
□ 電 電 電 電 気 気 気 気 的 的 的 的 特 特 特 特 性 性 性 性 ：
特長
特長
特長
特長
* 大容量（800A
*
* 超低R
* 内臓ダイオードが高速
用途
用途
用途
用途
* バッテリフォークリフト用チョッパ
* ４８Ｖ級直流電源制御用
ドレイン遮断電流
Ｚero Ｇate Ｖoltage Ｄrain Ｃurrent
ゲート漏れ電流
Ｇate-Ｓource Ｌeakage Ｃurrent
ゲートしきい値電圧
Ｇate-Ｓource Ｔhreshold Ｖoltage
ドレイン・ソース間オン抵抗（ＭＯＳＦＥＴ部）
Ｄrain-Ｓource Ｏn-Ｒesistance
ドレイン・ソース間オン電圧
Ｄrain-Ｓource Ｏn-Ｖoltage
順伝達コンダクタンス
Ｆorward Ｔransconductance
最 最 最 最 大 大 大 大 定 定 定 定 格 格 格 格 ：
入
出
帰
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
Ｄrain-Ｓource Ｖoltage
Ｇate-Ｓource Ｖoltage
ド レ イ ン 電 流
Ｄrain Ｃurrent
Ｐulsed Ｄrain Ｃurrent
Ｔotal Ｐower Ｄissipation
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍounting Ｔorque
ド レ イ ン ・ ソ − ス 間 電 圧（Ｖ
締 め 付 け ト ル ク
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧
トレンチゲートＭＯＳＦＥＴを搭載
全
保
パ ル ス ド レ イ ン 電 流
動
力
力
還
作
DS
存
接
(on)：１．４mΩ（＠800A）を実現
容
容
容
損
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
合
温
DC
量
量
量
ＭＡＸＩＭＵＭ
ＭＡＸＩＭＵＭ
ＭＡＸＩＭＵＭ
ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ
上 昇 時 間 Ｒise
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime
下 降 時 間 Ｆall
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime
）です
温
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ
Ｉｔｅｍ
Ｍｏｄｕｌｅ
Ｉnput Ｃapacitance
Ｏutput Ｃapacitance
Ｒeverse Ｔransfer Ｃapacitance
失
度
度
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
ＧＳ
＝０Ｖ）
ＤＣ 端子温度=80℃
−Ｓｉｎｇｌｅ
Ｄuty=50％
ＲＡＴＩＮＧＳ
ＲＡＴＩＮＧＳ
ＲＡＴＩＮＧＳ
ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｔime
Ｔime
（Ｔ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒ
Ｖ
Ｖ
８００ Ａ， １５０Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｔ
Ｖ
Ｆ
Ｉ
Ｉ
Ｃ
Ｃ
Ｃ
ｔ
ＤＳ（ｏｎ）
ＤＳ（ｏｎ）
Ｃ
ＧS（ｔｈ）
ｔ
ｇfs
Ｉ
Ｉ
Ｐ
Ｔ
ｔ
ｔ
ＤＳＳ
＝２５℃）
ＧＳＳ
ｓｔｇ
ＩＳＯ
ｔｏｒ
ＤＳＳ
ＧＳＳ
ｉｅｓ
ｏｅｓ
ｒｅｓ
ｏｆｆ
結 線 図
ｏｎ
ＤＭ
Ｄ
ｊ
ｒ
ｆ
Ｄ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
ＤＳ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｉ
Ｒ
Ｖ
（Ｔ
ＤＳ
ＧＳ
ＧＳ
ＧＳ
ＤＳ
ＧＳ
ＤＤ
Ｄ
Ｇ
ＧＳ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
=Ｖ
Ｍ４
Ｍ８
=400A
=0.75Ω
= 150V,Ｖ
= ±20V,Ｖ
=10V,Ｉ
=10V,Ｉ
=15V,Ｉ
=0V Ｖ
=80V
=-5V,+10V
Ｃ
ＧＳ
＝２５℃）
□ 外 外 外 外 形 形 形 形 寸 寸 寸 寸 法 法 法 法 図 図 図 図 ：
,Ｉ
Ｄ
Ｄ
Ｄ
Ｄ
ＤＳ
=20mA
=800A
=800A
=800A
ＧＳ
ＤＳ
=10V
= 0V
= 0V
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
ｆ=1MH
−４０∼＋１５０
−４０∼＋１２５
１０.５（１０７）
１，６００
２，６５０
２，５００
１.４（１４.３）
Ｚ
３（３０.６）
１５０
±２０
８００
６４０
ＯＵＴＬＩＮＥ
ＯＵＴＬＩＮＥ
ＯＵＴＬＩＮＥ
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
Ｍｉｎ.
１.０
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
ＤＲＡＷＩＮＧ
ＤＲＡＷＩＮＧ
ＤＲＡＷＩＮＧ
Ｔｙｐ.
１.１５
１.１０
１３００
ＰＨＭ８００１
ＰＨＭ８００１
ＰＨＭ８００１
ＰＨＭ８００１
２.０
質量：約650ｇ
１６５
５００
８８０
１８０
−
−
２０
２０
Ｍａｘ.
１.２５
４.８
４.８
３.２
１.４
−
−
−
−
−
−
−
Dimension:［mm］
Ｕｎｉｔ
Ｖ
(kgf･cm)
Ｕｎｉｔ
Ｎ・ｍ
ｍＡ
μＡ
ｎＦ
ｐＦ
ｐＦ
ｎｓ
（ＲＭＳ）
mΩ
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
Ｖ
Related parts for PHM8001_1
Image
Part Number
Description
Manufacturer
Datasheet
Request
R
Part Number:
Description:
MOSFET 30A 450~500V
Manufacturer:
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet:
Part Number:
Description:
30A 450~500V
Manufacturer:
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet:
Part Number:
Description:
DIODE 400A Avg 1600 Volts
Manufacturer:
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet:
Part Number:
Description:
FAST RECOVERY DIODE
Manufacturer:
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet:
Part Number:
Description:
Schottky Barrier Diode
Manufacturer:
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet:
Part Number:
Description:
THYRISTOR MODULE 250A / 800V
Manufacturer:
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet:
Part Number:
Description:
400A Avg 1200~1600 Volts
Manufacturer:
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet:
Part Number:
Description:
MOSFET MODULE Single 900A/150A
Manufacturer:
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet:
Part Number:
Description:
1200A 1200V
Manufacturer:
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet:
Part Number:
Description:
200A 1200V
Manufacturer:
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet:
Part Number:
Description:
300 A 600 V
Manufacturer:
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet:
Part Number:
Description:
300A 1200V
Manufacturer:
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet:
Part Number:
Description:
400 A 600 V
Manufacturer:
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet:
Part Number:
Description:
600A 1200V
Manufacturer:
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet:
Part Number:
Description:
P20B80
Manufacturer:
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet:
PHM8001_1 Summary of contents
Page 1
DC * トレンチゲートＭＯＳＦＥＴを搭載 * 超低R (on)：１．４mΩ（＠800A）を実現 内臓ダイオードが高速 用途 用途 用途 用途 * バッテリフォークリフト用チョッパ * ４８Ｖ級直流電源制御用 最 最 最 最 大 大 大 大 定 定 ...
Page 2
ＭＯＳＦＥＴ ＭＯＳＦＥＴ ＭＯＳＦＥＴ ＭＯＳＦＥＴ Ｍｏｄｕｌｅ −Ｓｉｎｇｌｅ □内部逆方向ダイオードの定格 内部逆方向ダイオードの定格と特性 内部逆方向ダイオードの定格 内部逆方向ダイオードの定格 と特性 と特性： と特性 Ｓｏｕｒｃｅ Ｄｒａｉｎ Ｓｏｕｒｃｅ Ｓｏｕｒｃｅ Ｓｏｕｒｃｅ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ソ−ス電流 Ｃontinuous Ｓource Ｃurrent パルスソ−ス電流 Ｐulsed Ｓource Ｃurrent ダイオード順電圧 Ｄiode Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ＴＨＥＲＭＡＬ ＴＨＥＲＭＡＬ ...
Page 3
Fig.1- Output Characteristics 1600 V =10V GE 1400 8V 1200 1000 800 600 400 200 0 0 0.5 1 1.5 2 Drain to Source Voltage V Fig.3- Drain to Source On Voltage vs. Junction ...
Page 4
Fig.7- Drain Current vs. Switching Time 1.2 V =80V DD R =0.75Ω =25℃ td(off) 0.8 0.6 0.4 td(on 0 200 400 Drain Current I Fig.9- ...
Page 5
...