K4D28163HD-TC36 SAMSUNG [Samsung semiconductor], K4D28163HD-TC36 Datasheet - Page 4
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K4D28163HD-TC36
Manufacturer Part Number
K4D28163HD-TC36
Description
128Mbit DDR SDRAM
Manufacturer
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
Datasheet
1.K4D28163HD-TC36.pdf
(16 pages)
PIN CONFIGURATION
PIN DESCRIPTION
K4D28163HD
CK,CK
CKE
W E
LDQS,UDQS
LDM,UDM
RFU
CS
RAS
CAS
Data Strobe
Differential Clock Input
Clock Enable
Chip Select
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Write Enable
Data Mask
Reserved for Future Use
(Top View)
AP/A
LDQS
V
V
V
L D M
V
V
CAS
RAS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
BA
BA
V
V
WE
V
D D Q
S S Q
D D Q
S S Q
NC
D D Q
NC
NC
NC
CS
A
A
A
A
DD
DD
DD
1 0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
0
1
2
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
(0.65 mm Pin Pitch)
(400mil x 875mil)
66 PIN TSOP(II)
- 4 -
BA
A
D Q
V
V
V
V
NC
0
DD
S S
DDQ
SSQ
0
~A
0
, BA
~ DQ
11
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
1
1 5
V
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
NC
V
UDQS
NC
V
V
UDM
CK
CK
CKE
NC
NC
A
A
A
A
A
A
A
V
S S
S S Q
DDQ
S S Q
DDQ
S S Q
R E F
S S
1 1
9
8
7
6
5
4
S S
1 5
1 4
1 3
1 2
1 1
1 0
9
8
Bank Select Address
Data Input/Output
Power
Ground
Power for DQ
Ground for DQ
No Connection
Address Input
128M DDR SDRAM
Rev. 1.4(Aug. 2002)
’
s
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