K4H510438G SAMSUNG [Samsung semiconductor], K4H510438G Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: K4H510438G
• Description: 512Mb G-die DDR SDRAM Specification
• Manufacturer: SAMSUNG [Samsung semiconductor]

K4H510438G
K4H510838G
K4H511638G
4.0 Pin Description
AP/A
LDQS
V
V
V
LDM
V
V
CAS
RAS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
BA
BA
V
V
WE
V
DDQ
DDQ
NC
DDQ
NC
NC
NC
SSQ
SSQ
CS
A
A
A
A
DD
DD
DD
10
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
0
1
2
3
AP/A
V
V
V
V
V
CAS
RAS
DQ
DQ
DQ
DQ
BA
BA
V
V
V
WE
DDQ
DDQ
DDQ
NC
SSQ
NC
NC
SSQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
CS
A
A
A
A
DD
DD
DD
10
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
0
1
2
3
0
1
0
1
2
3
Organization
AP/A
128Mx4
32Mx16
64Mx8
V
V
V
CAS
RAS
V
V
DQ
DQ
BA
BA
V
V
WE
V
NC
DDQ
NC
NC
NC
DDQ
NC
NC
NC
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
SSQ
SSQ
CS
A
A
A
A
DD
DD
DD
10
Row & Column address configuration
0
1
0
1
0
1
2
3
23
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
512Mb TSOP-II Package Pinout
(0.65mm Pin Pitch)
128Mb x 4
(400mil x 875mil)
32Mb x 16
64Mb x 8
Bank Address
Auto Precharge
66Pin TSOPII
BA0~BA1
Row Address
A0~A12
A0~A12
A0~A12
A10
5 of 24
Column Address
A0~A9, A11, A12
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
A0-A9, A11
A0-A9
V
NC
V
NC
DQ
V
NC
NC
V
NC
DQ
V
NC
NC
V
DQS
NC
V
V
DM
CK
CK
CKE
NC
A
A
A
A
A
A
A
A
V
Rev. 1.1 November 2009
SS
SSQ
DDQ
SSQ
DDQ
SSQ
REF
SS
SS
12
11
9
8
7
6
5
4
3
2
V
DQ
V
NC
DQ
V
NC
DQ
V
NC
DQ
V
NC
NC
V
DQS
NC
V
V
DM
CK
CK
CKE
NC
A
A
A
A
A
A
A
A
V
SS
SSQ
DDQ
SSQ
DDQ
SSQ
REF
SS
SS
12
11
9
8
7
6
5
4
7
6
5
4
DDR SDRAM
V
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
NC
V
UDQS
NC
V
V
UDM
CK
CK
CKE
NC
A
A
A
A
A
A
A
A
V
SS
SSQ
DDQ
SSQ
DDQ
SSQ
REF
SS
SS
12
11
9
8
7
6
5
4
15
14
13
12
11
10
9
8