K4S643232E-TE50 SAMSUNG [Samsung semiconductor], K4S643232E-TE50 Datasheet - Page 4
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K4S643232E-TE50
Manufacturer Part Number
K4S643232E-TE50
Description
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL(3.3V)
Manufacturer
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
Datasheet
1.K4S643232E-TE50.pdf
(12 pages)
K4S643232E-TE/N
PIN CONFIGURATION (Top view)
86 - TSOP
A10/AP
DQM0
DQM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
V
V
V
V
V
V
V
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CAS
RAS
BA0
BA1
V
V
V
V
DDQ
DDQ
N.C
N.C
N.C
DDQ
DDQ
SSQ
SSQ
WE
SSQ
SSQ
CS
A0
A1
A2
DD
DD
DD
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
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41
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43
- 4 -
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
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72
71
70
69
68
67
66
65
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59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
V
DQ15
V
DQ14
DQ13
V
DQ12
DQ11
V
DQ10
DQ9
V
DQ8
N.C
V
DQM1
N.C
N.C
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
V
N.C
DQ31
V
DQ30
DQ29
V
DQ28
DQ27
V
DQ26
DQ25
V
DQ24
V
SS
SSQ
DDQ
SSQ
DDQ
SS
SS
DDQ
SSQ
DDQ
SSQ
SS
(0.5 mm Pin pitch)
(400mil x 875mil)
86Pin TSOP (II)
CMOS SDRAM
Rev. 1.4 (Dec. 2001)