SFH 4850 E7800 OSRAM Opto Semiconductors Inc, SFH 4850 E7800 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: SFH 4850 E7800
• Description: EMITTER IR 850NM TO-18
• Manufacturer: OSRAM Opto Semiconductors Inc

Specifications of SFH 4850 E7800

• Wavelength: 850nm
• Package / Case: TO-18
• Current - Dc Forward (if): 200mA
• Radiant Intensity (ie) Min @ If: 4mW/sr @ 100mA
• Voltage - Forward (vf) Typ: 1.5V
• Viewing Angle: 46°
• Orientation: Top View
• Mounting Type: Through Hole
• Radiant Intensity: 7 mW/sr
• Maximum Forward Current: 200 mA
• Maximum Power Dissipation: 470 mW
• Maximum Operating Temperature: + 80 C
• Minimum Operating Temperature: - 40 C
• Lens Shape: Circular
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Other names: Q65110A2093

Strahlstärke I
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Radiant Intensity I
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
Strahlstärke
Radiant intensity
I
2009-05-14
F
F
1)
1)
= 100 mA,
= 1 A,
Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser
der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4,0 mm). Dadurch wird sichergestellt, dass
bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der
Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen
nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken
störend (z.B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen
ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses der Anwendung entsprechende Messverfahren ergibt sich für
die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag
„E 7800“, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.
Only one group in one packing unit, (variation lower 2:1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4.0 mm). This ensures that solely the radiation
in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant
intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair
the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the
application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring
procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted
by ’E 7800’ added to the type designation.
t
p
= 100 μs
t
p
e
= 20 ms
in Achsrichtung
e
in Axial Direction
Symbol
I
I
I
e min
e max
e typ
1)
SFH 4850 E7800 -P
4
8
45
4
Values
Werte
SFH 4850 E7800 -Q
6.3
12.5
55
SFH 4850 E7800
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
mW/sr