Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
2N5194, 2N5195
Silicon PNP Power
Transistors
circuits; excellent safe area limits. Complement to NPN 2N5191,
2N5192.
Features
•
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Indicates JEDEC registered data.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
October, 2006 − Rev. 12
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
Base Current
Total Device Dissipation @ T
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Thermal Resistance,
Junction−to−Case
These devices are designed for use in power amplifier and switching
Pb−Free Packages are Available*
Characteristic
Rating
(Note 1)
C
Preferred Devices
= 25°C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Symbol
T
V
J
V
V
q
P
, T
CEO
I
I
CB
EB
JC
C
B
D
stg
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
2N5194
60
60
– 65 to + 150
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Max
3.12
320
5.0
4.0
1.0
40
2N5195
80
80
1
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
W/°C
°C/W
°C/W
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
2N5194
2N5194G
2N5195
2N5195G
Device
POWER TRANSISTORS
ORDERING INFORMATION
Y
WW
2N519x = Device Code
G
MARKING DIAGRAM
60 − 80 VOLTS
http://onsemi.com
PNP SILICON
4 AMPERE
(Pb−Free)
(Pb−Free)
Package
TO−225
TO−225
TO−225
TO−225
= Year
= Work Week
= Pb−Free Package
YWW
2
N519xG
x = 4 or 5
Publication Order Number:
CASE 77−09
TO−225AA
STYLE 1
500 Units / Bulk
500 Units / Bulk
500 Units / Bulk
500 Units / Bulk
Shipping
2N5194/D