Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
2N3055, MJ2955
Complementary Silicon
Power Transistors
applications.
April, 2004 − Rev. 4
MAXIMUM RATINGS
Collector−Emitter Voltage
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current − Continuous
Base Current
Total Power Dissipation @ T
Derate above 25 C
Operating and Storage Junction Tempera-
ture Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur
and reliability may be affected.
. . . designed for general−purpose switching and amplifier
DC Current Gain − h
Collector−Emitter Saturation Voltage −
Excellent Safe Operating Area
Pb−Free Package is Available
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V
0
CE(sat)
25
Characteristic
= 1.1 Vdc (Max) @ I
Rating
50
Figure 1. Power Derating
T
C
, CASE TEMPERATURE ( C)
FE
75
C
= 20 −70 @ I
Preferred Device
= 25 C
100
C
= 4 Adc
125
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
C
Symbol
Symbol
= 4 Adc
T
V
V
R
J
V
V
P
, T
150
CEO
CER
I
I
qJC
CB
EB
C
B
D
stg
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
175
– 65 to + 200
Value
0.657
Max
1.52
100
115
60
70
15
7
7
200
1
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
W/ C
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
C/W
W
C
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
2N3055
2N3055G
2N3055H
MJ2955
†For information on tape and reel specifications,
*For additional information on our Pb−Free strategy
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
and soldering details, please download the
ON Semiconductor Soldering and Mounting
Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
COMPLEMENTARY SILICON
Device
TO−204AA (TO−3)
POWER TRANSISTORS
xxxx55 = Device Code
A
YY
WW
x
ORDERING INFORMATION
CASE 1−07
http://onsemi.com
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= 1, 2, or 3
xxxx= 2N3055 or MJ2955
TO−204AA
TO−204AA
TO−204AA
TO−204AA
(Pb−Free)
Package
115 W
15 A
60 V
Publication Order Number:
MARKING
DIAGRAM
100 Units / Tray
100 Units / Tray
100 Units / Tray
1 Units / Tubes
YYWW
xxxx55
Shipping
A
2N3055/D
†