TRANSISTOR NPN 60V 15A BIPO TO-3

2N3055HG

Manufacturer Part Number2N3055HG
DescriptionTRANSISTOR NPN 60V 15A BIPO TO-3
ManufacturerON Semiconductor
2N3055HG datasheet
 

Specifications of 2N3055HG

Transistor TypeNPNCurrent - Collector (ic) (max)15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)60VVce Saturation (max) @ Ib, Ic3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (max)700µADc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce20 @ 4A, 4V
Power - Max115WFrequency - Transition2.5MHz
Mounting TypeChassis MountPackage / CaseTO-204, TO-3
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant  
1
Page 1
2
Page 2
3
Page 3
4
Page 4
Page 1/4

Download datasheet (86Kb)Embed
Next
2N3055, MJ2955
Preferred Device
Complementary Silicon
Power Transistors
. . . designed for general−purpose switching and amplifier
applications.
DC Current Gain − h
= 20 −70 @ I
FE
Collector−Emitter Saturation Voltage −
V
= 1.1 Vdc (Max) @ I
CE(sat)
Excellent Safe Operating Area
Pb−Free Package is Available
MAXIMUM RATINGS
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Rating
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector−Emitter Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector−Emitter Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector−Base Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Emitter−Base Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector Current − Continuous
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Base Current
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Total Power Dissipation @ T
= 25 C
C
Derate above 25 C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Operating and Storage Junction Tempera-
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
ture Range
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
THERMAL CHARACTERISTICS
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Characteristic
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur
and reliability may be affected.
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
T
, CASE TEMPERATURE ( C)
C
Figure 1. Power Derating
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004
April, 2004 − Rev. 4
= 4 Adc
C
= 4 Adc
C
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
Symbol
Value
Unit
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
V
60
Vdc
CEO
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
V
70
Vdc
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î
CER
Î Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
V
100
Vdc
CB
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
Î Î
V
7
Vdc
EB
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
Î Î
I
15
Adc
C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
Î Î
I
7
Adc
Î Î Î
Î Î Î
B
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
P
115
W
D
0.657
W/ C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
Î Î
T
, T
– 65 to + 200
C
Î Î Î
Î Î Î Î Î
J
stg
Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
Symbol
Max
Unit
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
R
1.52
C/W
qJC
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
125
150
175
200
1
http://onsemi.com
15 A
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY SILICON
60 V
115 W
MARKING
DIAGRAM
xxxx55
TO−204AA (TO−3)
A
CASE 1−07
YYWW
xxxx55 = Device Code
xxxx= 2N3055 or MJ2955
A
= Assembly Location
YY
= Year
WW
= Work Week
x
= 1, 2, or 3
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
2N3055
TO−204AA
100 Units / Tray
2N3055G
TO−204AA
1 Units / Tubes
(Pb−Free)
2N3055H
TO−204AA
100 Units / Tray
MJ2955
TO−204AA
100 Units / Tray
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
*For additional information on our Pb−Free strategy
and soldering details, please download the
ON Semiconductor Soldering and Mounting
Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
Publication Order Number:
2N3055/D

2N3055HG Summary of contents

  • Page 1

    ... Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D. *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value. ...

  • Page 2

    ELECTRICAL CHARACTERISTICS Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Characteristic Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...

  • Page 3

    T = 150 C J 200 25 C 100 − 7.0 5.0 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3 COLLECTOR CURRENT (AMP) C Figure 3. DC Current Gain, 2N3055 ...

  • Page 4

    ... American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051 Phone: 81−3−5773−3850 http://onsemi.com 4 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. ...