2DI30Z-100

Manufacturer Part Number2DI30Z-100
DescriptionPOWER TRANSISTOR MODULE
ManufacturerFuji Electric holdings CO.,Ltd
2DI30Z-100 datasheet
 


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2DI30Z-100
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
特長
特長: : : : : Features
特長
特長
特長
高耐圧 High Voltage
高耐圧
高耐圧
高耐圧
高耐圧
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード内蔵
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
内蔵
内蔵
内蔵
内蔵 Including Tree Wheeling Diode
ASO
ASO
ASO
ASO
ASO が広い
が広い
が広い
が広い
が広い Excellent Safe Operating Area
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 Insulated Type
用途
用途
用途
用途: : : : : Applications
用途
大電力
大電力
大電力
大電力
大電力スイッチング
スイッチング High Power Switching
スイッチング
スイッチング
スイッチング
DCモータ
DCモータ
制御 
制御 
DCモータ
DCモータ制御 
DCモータ
制御 
制御 DC Motor Controls
ACモータ
ACモータ制御 
ACモータ
制御 
制御 
制御 AC Motor Controls
ACモータ
ACモータ
制御 
 無停電電源装置 Uninterruptible Power Supply
 無停電電源装置 
 無停電電源装置 
 無停電電源装置 
 無停電電源装置 
: Maximum ratings and characteristic
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
D C
1ms
DC
ベース電流
 DC
1ms
コレクタ損失
one Transistor
two Transistor
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧      AC.1min
締付けトルク
電気的特性
電気的特性
電気的特性
電気的特性
電気的特性
Electrical characteristics (T
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
逆回復時間
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
熱的特性
熱的特性
熱的特性
Item
熱 抵 抗
(30A)
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
Rating
Unit
V
1000
V
CBO
V
1000
V
CEO
V
-
V
CEO(SUS)
V
10
V
EBO
I
30
A
C
I
60
A
CP
-I
30
A
C
I
2
A
B
I
4
A
BP
P
300
W
C
P
600
W
C
T
+150
°C
j
-40 to +125
T
°C
stg
g
m
175
V
Viso
2500
N・m
Mounting *1
3.5
N・m
Terminal *1
3.5
=25°C unless otherwise specified)
c
Symbol
Test Conditions
V
I
= 1mA
CBO
CBO
V
I
= 1mA
CEO
CEO
V
CEO(SUS)
V
V
= -3V
CEX(SUS)
BE
V
I
= 200mA
EBO
EBO
I
V
= 1000V
CBO
CBO
I
V
= 10V
EBO
EBO
-V
-Ic = 30A
CE
h
I
= 30A, V
= 5V
FE
C
CE
= 2.5V, Tj=125 °C
I
= 30A, V
C
CE
V
I
= 30A, I
= 0.4A
CE(Sat)
C
B
V
BE(Sat)
t
I
= 30A
on
C
t
I
= +0.4A
stg
B1
t
I
= -0.6A
B2
f
=-6V, -di/dt=30A/ µ s
-Ic=30A,V
t
BE
rr
Symbol
Test Conditions
R
Transistor
th(j-c)
R
Recovery Diode
th(j-c)
R
With Thermal Compound
th(c-f)
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
外形寸法
外形寸法
外形寸法
CASE
CASE
CASE
CASE
CASE
M204
M204
M204
M204
M204
UL
UL
UL
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
UL
UL
E82988(M)
E82988(M)
等 価 回 路 : : : : :
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
Equivalent Circuit Schematic
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
2.5to3.0N・m[25to30kgf・cm](M5)
Min.
Typ.
Max.
Units
1000
1000
-
1000
10
1.0
200
-
1.8
100
75
2.8
3.5
2.5
12.0
2.0
0.7
Min.
Typ.
Max.
Units
°C/W
0.4
°C/W
1.5
0.06
°C/W
[mm]
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
V
V
µs
µs
µs
1