2DI30D-100 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 2DI30D-100 Datasheet
2DI30D-100
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2DI30D-100
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet
1.2DI30D-100.pdf
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Company:
Part Number:
2DI30D-100
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
23
Company:
Part Number:
2DI30D-100
Manufacturer:
SANREX
Quantity:
726
Part Number:
2DI30D-100
Manufacturer:
FUJITSU/富士通
Quantity:
20 000
Part Number:
2DI30D-100
Quantity:
50
2DI30D-100
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
無停電電源装置
無停電電源装置
無停電電源装置 Uninterruptible Power Supply
溶接機
溶接機
溶接機 Welding Machines
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
無停電電源装置
無停電電源装置
溶接機
溶接機
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧 AC.1min
締付けトルク
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
逆回復時間
絶縁形
絶縁形
大電流
大電流
大電流
大電流
大電流 High Current
hFE
hFE
hFE が高い
絶縁形
絶縁形
絶縁形 Insulated Type
hFE
hFE
DCﾓｰﾀ
DCﾓｰﾀ
DCﾓｰﾀ
DCﾓｰﾀ
DCﾓｰﾀ制御
熱 抵 抗
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
電気的特性
電気的特性
Item
大電力
大電力
大電力ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
大電力
大電力
電気的特性
電気的特性
電気的特性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
用途
用途
用途： ： ： ： ： Applications
用途
用途
特長
特長
特長： ： ： ： ： Features
特長
特長
が高い
が高い
が高い
が高い High DC Current Gain
制御
制御
制御
制御 DC Motor Controls
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ High Power Switching
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
：
Electrical characteristics (T
: Maximum ratings and characteristic
DC
DC
two Transistor
D C
1ms
1ms
one Transistor
Symbol
V
V
V
V
I
I
-I
I
I
P
P
T
T
m
Viso
Mounting *1
Terminal *1
B
R
R
R
C
CP
BP
Symbol
C
C
C
j
stg
Symbol
V
V
V
V
V
I
I
-V
h
V
V
t
t
t
t
CBO
CEO
CEO(SUS)
EBO
CBO
EBO
on
stg
f
rr
th(j-c)
th(j-c)
th(c-f)
FE
CBO
CEO
CEO(SUS)
CEX(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
CE
(30A)
c
=25°C unless otherwise specified)
Rating
With Thermal Compound
-40 to +125
Transistor
Diode
Test Conditions
I
I
I
I
I
V
V
-Ic = 30A
I
I
I
I
I
-Ic=30A,V
CBO
CEO
C
C
EBO
C
C
C
B1
B2
Test Conditions
CBO
EBO
1000
1000
+150
2500
=20A, -I
= 5A
= 30A, V
= 30A, I
= 30A
800
300
600
175
= +0.6A
= -2.0A
10
30
60
30
= 1mA
= 1mA
= 200mA
2
4
3.5
3.5
= 10V
= 1000V
B
BE
B
CE
=2A
= 0.6A
=-6V, -di/dt=30A/ µ s
= 5V
Unit
°C
°C
N･m
N･m
V
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
g
V
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
CASE
CASE
CASE
CASE
CASE
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
UL
UL
UL
UL
UL
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路 : : : : :
Equivalent Circuit Schematic
Min.
Min.
1000
1000
1000
100
800
10
2.5to3.0N･m[25to30kgf･cm](M5)
M204
M204
M204
M204
M204
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
Typ.
Typ.
0.06
-
200
Max.
15.0
Max.
1.2
0.42
1.0
1.8
2.5
3.5
2.5
3.0
0.5
Units
Units
°C/W
°C/W
°C/W
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
V
V
µs
µs
µs
[mm]
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IGBT(1200V 8A)
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IGBT MODULE(1200V 15A)
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IGBT(600V,400A)
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IGBT MODULE ( S-Series )
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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POWER DIODE MODULE
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IGBT(600V 20A)
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