1DI200Z-120 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 1DI200Z-120 Datasheet

1DI200Z-120

Manufacturer Part Number

1DI200Z-120

Description

POWER TRANSISTOR MODULE?

Manufacturer

Fuji Electric holdings CO.,Ltd

Datasheet

1.1DI200Z-120.pdf (3 pages)

Available stocks

Company

Part Number

Manufacturer

Quantity

Price

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

1DI200Z-120

Manufacturer:

FUJI

Quantity:

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

1DI200Z-120

Manufacturer:

FUJI

Quantity:

292

Company:

Meier Automation Equipment Co., Limited

Part Number:

1DI200Z-120

Manufacturer:

FUJITSU/富士通

Quantity:

20 000

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

1DI200Z-120-E

Manufacturer:

FUJI

Quantity:

1 000

Company:

HONG KONG JIETUO ZIJING INTERNATIONAL TRADING CO., LIMITED

Part Number:

1DI200Z-120-E

Quantity:

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1DI200Z-120

パワートランジスタモジュール

POWER TRANSISTOR MODULE

パワートランジスタモジュール

POWER TRANSISTOR MODULE

Item

コレクタ・ベース間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧

エミッタ・ベース間電圧

コレクタ電流

ベース電流

コレクタ損失

接合部温度

保存温度

質量

絶縁耐圧 AC.1min

締付けトルク

Item

コレクタ・ベース間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧

エミッタ・ベース間電圧

コレクタしゃ断電流

エミッタしゃ断電流

コレクタ・エミッタ間電圧

直流電流増幅率

コレクタ・エミッタ飽和電圧

ベース・エミッタ飽和電圧

スイッチング時間

逆回復時間

ASO

ASO が広い

ASO

絶縁形

絶縁形 Insulated Type

絶縁形

ﾌﾘｰﾎｲﾘﾝｸﾞﾀﾞｲｵｰﾄﾞ

ﾌﾘｰﾎｲﾘﾝｸﾞﾀﾞｲｵｰﾄﾞ内蔵

ﾌﾘｰﾎｲﾘﾝｸﾞﾀﾞｲｵｰﾄﾞ

ASO

絶縁形

熱抵抗

電気的特性

Item

AC モータ制御

DC モータ制御

定格と特性

絶対最大定格

Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)

熱的特性

熱的特性 : : : : : Thermal characteristics

高耐圧

定格と特性

絶対最大定格

高耐圧

高耐圧 H H H H High Voltage

高耐圧

無停電電源装置

無停電電源装置 Uninterruptible Power Supply

大電力

大電力ｽｲｯﾁﾝｸﾞ

用途

用途：：：：： Applications

特長

特長：：：：： Features

特長

が広い

が広い Excellent Safe operating Area

が広い

モータ制御

モータ制御 AC Motor Controls

モータ制御

モータ制御 DC Motor Controls

ｽｲｯﾁﾝｸﾞ

ｽｲｯﾁﾝｸﾞ Power Switching

：

Electrical characteristics (T

: Maximum ratings and characteristic

D C

1ms

one Transistor

内蔵

内蔵 Including Free Wheeling Diode

内蔵

Symbol

-Ic

Viso

Mounting *1

Terminal *2

Symbol

stg

Symbol

-V

CBO

CEO

CEO(SUS)

EBO

CBO

stg

th(j-c)

th(c-f)

CEO(SUS)

CEX(SUS)

EBO

CE(Sat)

BE(Sat)

CBO

CEO

(200A)

=25°C unless otherwise specified)

Rating

With Thermal Compound

Transistor

Fast Recovery Diode

Test Conditions

-Ic=200A

-I

-40 to +125

CBO

CEO

EBO

Test Conditions

CBO

EBO

1200

1400

+150

2500

= 200A, V

= 200A, I

= 200A

=200A, V

= +2.8A, I

200

400

460

200

= -3V

= 4mA

= 800mA

= 10V

= 1200V

3.5

1.7

4.5

= 280mA

=-6V, -di/dt=200A/µ s

= 5V

= 2.8V, Tj=125 °C

= -4.0A

Unit

°C

N･m

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE

Note:

*1:推奨値 Recommendable Value;

*2:推奨値 Recommendable Value;

CASE

外形寸法

外形寸法: : : : : Outline Drawings

外形寸法

等価回路

等価回路 : : : : :

等価回路

Equivalent Circuit Schematic

外形寸法

等価回路

Min.

1200

100

M106

2.5to3.5N･m[25to35kgf･cm]

M106

1.3to1.6N･m[13to16kgf･cm](M4)

3.5to4.0N･m[35to40kgf･cm](M6)

E82988(M)

Typ.

0.03

800

Max.

0.35

15.0

0.089

4.0

2.0

2.8

3.5

3.0

2.0

0.8

(M5 or M6)

Units

°C/W

µs

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