FB10R06KL4GB1 Eupec Power Semiconductors, FB10R06KL4GB1 Datasheet

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FB10R06KL4GB1

Manufacturer Part Number
FB10R06KL4GB1
Description
IGBT Module
Manufacturer
Eupec Power Semiconductors
Datasheet
Diode Gleichrichter / diode rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter / diode inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
Transistor Brems-Chopper / transistor brake-chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper / diode brake-chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Thomas Passe
approved by: R. Keggenhoff
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften /electrical properties
Höchstzulässige Werte /maximum rated values
Technische Information / technical information
2
2
t - value
t - value
T
T
T
t
t
t
t
T
T
T
t
T
t
V
T
T
T
t
T
t
date of publication: 2003-03-26
revision: 2.1
FB10R06KL4GB1
P
P
P
P
P
P
P
P
vj
C
C
vj
C
C
C
R
vj
C
C
C
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 1 ms, T
= 1 ms
= 25°C
= 25°C
=25°C
=80°C
=80°C
=25°C
=80°C
= 25 °C
= 0V, t
=25°C
=80 °C
= 25 °C
p
= 10ms, T
c
=80°C
T
vj
vj
vj
vj
C
=
= 150°C
=
= 150°C
1(12)
=80°C
25°C
25°C
vj
= 125°C
I
I
RMSmax
I
I
V
FRMSM
V
V
V
V
I
C,nom.
I
I
C,nom.
I
I
P
P
FSM
CRM
FRM
CRM
FRM
I
I
RRM
CES
I
GES
I
CES
I
GES
I
2
2
C
C
tot
F
tot
F
t
t
Vorläufig
preliminary
+/- 20V
+/- 20V
800
197
158
194
125
600
600
23
25
10
15
20
55
10
20
12
10
15
20
55
10
20
A
A
A
W
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

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FB10R06KL4GB1 Summary of contents

Page 1

... Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper / diode brake-chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: Thomas Passe approved by: R. Keggenhoff FB10R06KL4GB1 T =25° =80° =80° ms 25° ...

Page 2

... Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data FB10R06KL4GB1 RMS Hz min. NTC connected to baseplate T = 150° 150° ...

Page 3

... Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Diode Brems-Chopper / diode brake-chopper Durchlaßspannung forward voltage NTC-Widerstand / NTC-thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R 100 deviation of R 100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value FB10R06KL4GB1 T = 25° 0V 25° 0V 125°C, ...

Page 4

... Anpreßkraft f. mech. Befestigung pro Feder mounting force per clamp Gewicht weight Kontakt - Kühlkörper terminal to heatsink Terminal - Terminal terminal to terminal FB10R06KL4GB1 Gleichr. Diode/ rectif. diode =1W/m*K Paste Trans. Wechselr./ trans. inverter =1W/m*K grease Diode Wechselr./ diode inverter Trans. Bremse/ trans. brake Diode Bremse/ diode brake Gleichr ...

Page 5

... Tj = 125° 0,00 0,50 1,00 Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) output characteristicinverter (typical) 20 VGE = 8V 18 VGE = 9V VGE = 10V 16 VGE = 12V 14 VGE = 15V VGE = 20V 0,00 0,50 1,00 FB10R06KL4GB1 1,50 2,00 2,50 3, 125°C vj 1,50 2,00 2,50 3,00 V [V] CE 5(12) Vorläufig preliminary ) CE 3,50 4,00 4,50 ...

Page 6

... Tj = 25° 125° 5,00 6,00 Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) forward characteristic of FWD inverter (typical 25° 125° 0,00 0,50 FB10R06KL4GB1 7,00 8,00 9,00 V [V] GE 1,00 1,50 V [V] F 6(12) Vorläufig preliminary 10,00 11,00 12, ...

Page 7

... Eon 1,4 Eoff Erec 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0 Schaltverluste Wechselr. (typisch) switching losses inverter (typical) 1,6 Eon 1,4 Eoff Erec 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0 100 FB10R06KL4GB1 off 125° ± [ off T = 125°C, V ...

Page 8

... IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Wechselr. transient thermal impedance inverter 10,000 Zth-IGBT Zth-FWD 1,000 0,100 0,001 0,01 Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) reverse bias save operating area inverter (RBSOA IC,Modul IC,Chip 100 FB10R06KL4GB1 Z thJH IGBT: r [K/W]: 185e-3 922,6e-3 i [s]: 3e-6 79,9e-3 i FWD: r [K/W]: 280,9e-3 1,41 i [s]: 3e-6 78,7e-3 i ...

Page 9

... Tj = 25° 125° 0,00 0,50 1,00 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) I forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical 25° 125° 0,00 0,50 FB10R06KL4GB1 1,50 2,00 2,50 3,00 V [V] CE 1,00 1,50 2,00 V [V] F 9(12) Vorläufig preliminary 3,50 4,00 4,50 5, 2,50 ...

Page 10

... Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) forward characteristic of rectifier diode (typical 25° 150° 0,00 0,20 NTC- Temperaturkennlinie (typisch) NTC- temperature characteristic (typical) 100000 10000 1000 100 0 20 FB10R06KL4GB1 0,40 0, (T) Rtyp [°C] C 10(12) Vorläufig preliminary 0,80 1,00 1,20 ...

Page 11

... Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltplan/ circuit diagram Gehäuseabmessungen/ package outlines Bohrplan / drilling layout FB10R06KL4GB1 11(12) Vorläufig preliminary ...

Page 12

... Gehäuseabmessungen Forts. / package outlines contd. Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes FB10R06KL4GB1 12(12) ...

Page 13

Terms & Conditions of Usage Attention The present product data is exclusively subscribed to technically experienced staff. This Data Sheet is describing the specification of the products for which a warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of ...

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