PBSS4240DPN Philips Semiconductors, PBSS4240DPN Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: PBSS4240DPN
• Description: 40V low VCEsat NPN/PNP transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
2003 Feb 20
handbook, halfpage
handbook, halfpage
40 V low V
V CEsat
TR1 (NPN); V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.2
TR1 (NPN); I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.4
(mV)
h FE
800
600
400
200
10
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
10
10
3
2
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
1
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
C
CE
/I
B
= 5 V.
= 20.
1
1
CEsat
10
10
(1)
(2)
(3)
NPN/PNP transistor
(2)
10
10
2
(1)
(3)
2
10
10
3
3
I C (mA)
I C (mA)
MHC471
MHC473
10
10
4
4
5
handbook, halfpage
handbook, halfpage
TR1 (NPN); V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.3
TR1 (NPN); I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
V BEsat
V BE
(V)
(V)
1.2
0 8
0 4
1.2
0.8
0.6
0.4
0.2
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
1
10
10
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
1
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
1
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
C
CE
/I
B
= 5 V.
= 20.
1
1
10
10
(1)
(2)
(3)
PBSS4240DPN
10
10
(1)
(2)
(3)
2
2
Product specification
10
10
3
3
I C (mA)
I C (mA)
MHC472
MHC474
10
10
4
4