PBSS4240DPN Philips Semiconductors, PBSS4240DPN Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: PBSS4240DPN
• Description: 40V low VCEsat NPN/PNP transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
2003 Feb 20
handbook, halfpage
handbook, halfpage
40 V low V
V CEsat
TR2 (PNP); V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.8
TR2 (PNP); I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.10 Collector-emitter saturation voltage as a
(mV)
1000
h FE
800
600
400
200
10
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
1
3
2
10
10
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
function of collector current; typical values.
1
1
C
CE
/I
B
= 5 V.
= 20.
1
1
CEsat
10
10
(2)
(3)
(1)
NPN/PNP transistor
10
10
(1)
(2)
(3)
2
2
10
10
I C (mA)
I C (mA)
3
3
MHC464
MHC466
10
10
4
4
7
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V BEsat
TR2 (PNP); V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.9
TR2 (PNP); I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.11 Base-emitter saturation voltage as a
(V)
V BE
(V)
1.2
1.2
0.8
0.6
0.4
0.2
0 8
0 4
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
1
10
10
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
function of collector current; typical values.
1
1
C
CE
/I
B
= 5 V.
= 20.
1
1
10
10
(1)
(2)
(3)
PBSS4240DPN
10
10
(1)
(2)
(3)
2
2
Product specification
10
10
I C (mA)
3
I C (mA)
3
MHC465
MHC467
10
10
4
4