sfh4236 Osram Opto Semiconductors, sfh4236 Datasheet

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sfh4236

Manufacturer Part Number
sfh4236
Description
High Power Infrared Emitter 850 Nm
Manufacturer
Osram Opto Semiconductors
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
SFH4236
Manufacturer:
HYNIX
Quantity:
560
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
High Power Infrared Emitter (850 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4236
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
• max. Gleichstrom 1 A
• niedriger Wärmewiderstand (9 K/W)
• Schwerpunktswellenlänge 850 nm
• ESD-sicher bis 2 kV nach JESD22-A114-E
Anwendungen
• Infrarotbeleuchtung für Kameras
• Überwachungssysteme
• Fahrer-Assistenz Systeme
• Beleuchtung für Bilderkennungssysteme
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte,
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.
Typ
Type
SFH 4236
1)
2010-02-18
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
nicht
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A9564
sichtbare
Infrarot-
Strahlstärkegruppierung
Radiant Intensity Grouping
I
> 250 (typ. 630)
e
(mW/sr)
1
Features
• max. DC-current 1 A
• Low thermal resistance (9 K/W)
• Center of spectral emission at 850 nm
• ESD save up to 2 kV acc. to JESD22-A114-E
Applications
• Infrared Illumination for cameras
• Surveillance systems
• Driver assistance systems
• Machine vision systems
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
1)
(
1)
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms)

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IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • max. Gleichstrom 1 A • niedriger Wärmewiderstand (9 K/W) • Schwerpunktswellenlänge ...

Page 2

T Grenzwerte ( A Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Vorwärtsgleichstrom Forward current t D Stoßstrom, < 200 µ Surge current Leistungsaufnahme ...

Page 3

T Kennwerte ( A Characteristics (cont’d) Bezeichnung Parameter Schaltzeiten, I von 10% auf 90% und von 90 Ω auf 10 Switching times, Ι from 10% to 90% ...

Page 4

Strahlstärke I in Achsrichtung e gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Radiant Intensity I in Axial Direction solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity ...

Page 5

Relative spektrale Emission Relative Spectral Emission (λ) rel OHF04132 100 % I rel 700 750 800 850 nm 950 λ Max. zulässiger Durchlassstrom Max. Permissible Forward Current ...

Page 6

Maßzeichnung Package Outlines Maß (inch) / Dimensions in mm (inch) 2010-02- SFH 4236 ...

Page 7

Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad Design Achtung: Anode und Heatsink sind elektrisch verbunden Attention: Anode and Heatsink are electrically connected Footprint Empfohlene Padgeometrie Recommended Solder Pad Design Maß (inch) / Dimensions in mm (inch) 2010-02-18 3 Lötstellen Thermisch ...

Page 8

... Anm.: Das Gehäuse ist für Ultraschallreinigung nicht geeignet Note: Package not suitable for ultra sonic cleaning Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com © All Rights Reserved. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. ...

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