sfh4850e7800 Osram Opto Semiconductors, sfh4850e7800 Datasheet

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sfh4850e7800

Manufacturer Part Number
sfh4850e7800
Description
High Power Infrared Emitter 850 Nm
Manufacturer
Osram Opto Semiconductors
Datasheet
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
High Power Infrared Emitter (850 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4850 E7800
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
• Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
• Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
• Emissionswellenlänge typ. 850 nm
• Sehr hohe Strahldichte
• Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG
Anwendungen
• Sensorik
• Lichtgitter
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte,
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.
Typ
Type
SFH 4850 E7800
1)
2008-02-04
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
verbunden
ATTENTION - Observe Precautions For Handling - Electrostatic Sensitive Device
nicht
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A2093
sichtbare
Infrarot-
Strahlstärkegruppierung
Radiant Intensity Grouping
I
≥ 4 (typ. 7)
e
(mW/sr)
1
Features
• High Power Infrared LED
• Anode is electrically connected to the case
• Peak wavelength typ. 850 nm
• Very high radiance
• DIN humidity category in acc. with
Applications
• Sensor technology
• Light curtains
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
DIN 40 040 GQG
1)
(
1)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms)

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IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung • Anode galvanisch mit dem ...

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T Grenzwerte ( C Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Vorwärtsgleichstrom Forward current = 10 µ Stoßstrom Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand ...

Page 3

T Kennwerte ( A Characteristics (cont’d) Bezeichnung Parameter Durchlassspannung Forward voltage 100 mA 100 µ Sperrstrom Reverse current ...

Page 4

Strahlstärke I in Achsrichtung e gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Radiant Intensity I in Axial Direction solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity 100 mA, = ...

Page 5

Relative Spectral Emission (λ) rel OHL01714 100 % I rel 700 750 800 850 nm λ Forward Current = ( ) µs Single pulse, t ...

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Maßzeichnung Package Outlines 2.7 (0.106) ø0.45 (0.018 14.5 (0.571) 12.5 (0.492) Maß (inch) / Dimensions in mm (inch). Gehäuse / Package 18 A3 DIN 41870 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10“ DIN ...

Page 7

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