sfh4056 Osram Opto Semiconductors, sfh4056 Datasheet

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sfh4056

Manufacturer Part Number
sfh4056
Description
High Power Infrared Emitter 850 Nm
Manufacturer
Osram Opto Semiconductors
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
SFH4056
Manufacturer:
SYNERGY
Quantity:
9 600
Part Number:
SFH4056
Manufacturer:
OSRAM/欧司朗
Quantity:
20 000
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
High Power Infrared Emitter (850 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4056
preliminary data / vorläufige Daten
Wesentliche Merkmale
• Sehr kleines Gehäuse:
• Sehr hohe Gesamtleistung
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken
• Mobile Geräte
• Näherungssensor
• Sensorik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte,
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.
Typ
Type
SFH 4056
1)
2010-03-04
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
(LxBxH) 3.2 mm x 1.6mm x 1 mm
nicht
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A9942
sichtbare
Infrarot-
Strahlstärkegruppierung
Radiant Intensity Grouping
I
≥ 16 (typ. 35)
e
(mW/sr)
1
Features
• Very small package:
• High optical total power
Applications
• Miniature photointerrupters
• Mobile devices
• proximity sensor
• Sensor technology
• For drive and control circuits
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
(LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x 1 mm
1)
(
1)
I
F
= 70 mA,
t
p
= 20 ms)

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sfh4056 Summary of contents

Page 1

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4056 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3 1.6mm ...

Page 2

T Grenzwerte ( A Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Vorwärtsgleichstrom Forward current = 10 μ Stoßstrom Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand ...

Page 3

T Kennwerte ( A Characteristics (cont’d) Bezeichnung Parameter Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Schaltzeiten, I von 10% auf 90% und von 90 auf 10%, ...

Page 4

Strahlstärke I in Achsrichtung e gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Radiant Intensity I in Axial Direction solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity mA, = ...

Page 5

Relative Spectral Emission (λ) rel OHF04135 100 % I rel 700 750 800 850 nm 950 λ Forward Current = ( ) 100 μs Single pulse, ...

Page 6

Maßzeichnung Package Outlines Maße in mm/ Dimensions in mm. Gehäuse / Package Chip LED/ Chip LED Farbe / Colour Schwarz / black Gehäusemarkierung/ Pad 1: Kathode / cathode Package marking Pad 2: Anode / anode (anode marking) Gewicht/ 5.3mg Approx. ...

Page 7

Gurtung / Polarität und Lage Method of Taping / Polarity and Orientation Maß (inch) / Dimensions in mm (inch). Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad Maß Dimensions in mm. 2010-03-04 Verpackungseinheit 2000/Rolle, ø180 mm Packing unit ...

Page 8

... Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstrasse 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com © All Rights Reserved. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances ...

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