mc33351adtb ON Semiconductor, mc33351adtb Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: mc33351adtb
• Description: Lithium Battery Protection Circuit For Three Battery Packs
• Manufacturer: ON Semiconductor

Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
C
CELL VOLTAGE BALANCING
CURRENT SENSING
LOGIC
TOTAL DEVICE
NOTE: 2 Refer to “Voltage Sensing” text of Operating Description. Guaranteed by Design Only; NOT TESTED.
Internal Balancing MOSFET On−Resistance
High−Side Discharge Current Limit (Pin 16 to Pin 8)
Low−Side Discharge Current Limit (Pin 13 to Pin 5)
Charge and Discharge Inhibit Inputs (Pin 1, 2)
Undervoltage Fault Output (Pin 10)
Charge and Discharge Gate Drive Outputs (Pin 9, 7)
Average Cell Current
Minimum Operating Cell Voltage
dly
Balance 3, (Pin 19)
Balance 1, Balance 2 (Pin 20, 14)
Threshold Voltage
Delay
Threshold Voltage
Delay
Threshold Voltage
Propagation Delay to Respective Gate Drive Output
Low State Sink Resistance
Off State Leakage Current (V
Detection Delay Time Before Discharge MOSFET Turn Off
High State Source Resistance
Low State Sink Resistance
(Note 2)
(Pin 4) = 1000 pF, T
R
R
Overcurrent Detect (V
Short Circuit Detect (V
Overcurrent Detect (V
Short Circuit Detect (V
Operating (V
Sleepmode (V
Cell 1 Voltage
Cell 2, or Cell 3 Voltage
pin 11
pin 11
= 1.0 MW
= 2.0 MW
CC
CC
= 12 V)
= 6.0 V)
A
Characteristic
= 25°C)
sense
sense
sense
sense
drain
= 250 mV)
= 50 mV)
= 1.0 V)
= 200 mV)
= 16V)
(V
cell 3
(Pin 18) = 10.5V, V
http://onsemi.com
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
5
cell 2
V
t
V
t
R
dly(HSdschg)
dly(LSdschg)
th(HSdschg)
R
th(LSdschg)
Symbol
V
DS(source)
R
DS(sink)
th(inhbt)
t
DS(on)
V
PL/H
I
(Pin 12) = 7.0V, V
CC
CC
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Min
200
100
2.5
0.0
2.5
0.3
1.5
0.7
48
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
cell 1
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
(Pin 15) = 3.5V,
V
Typ
100
280
170
100
100
100
100
100
1.8
0.8
50
16
15
−
c
−
/2
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Max
380
230
500
6.0
2.5
6.0
0.4
59
20
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Unit
mV
mV
mV
ms
ms
ms
ms
nA
μA
nA
μs
W
W
W
V
V
s