tc7sz02afs TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, tc7sz02afs Datasheet
tc7sz02afs
Manufacturer Part Number
tc7sz02afs
Description
2-input Nor Gate
Manufacturer
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet
1.TC7SZ02AFS.pdf
(6 pages)
2-Input NOR Gate
特 長
•
•
•
•
現品表示
絶対最大定格
高出力電流
超高速動作
広い動作電圧範囲
入力端子に、5.5V トレラント機能あり
電
入
出
入 力 保 護 ダ イ オ ー ド 電 流
出 力 保 護 ダ イ オ ー ド 電 流
出
電
許
保
注:
(注 1): V
源
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても､高負荷 (高温お
よび大電流/高電圧印加､多大な温度変化等) で連続して使用される場合は､信頼性が著しく低下するおそれがあ
ります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート､推定故障率等) をご確認の上､適切な信頼性設計をお願いします。
OUT
/
源
力
力
力
容
存
項
J
< GND, V
G
(Ta = 25°C)
3
N
: ±24 mA (最小) @V
: t
: V
目
電
電
電
電
損
温
D
pd
OUT
CC
東芝CMOSデジタル集積回路 シリコン モノリシック
= 2.4ns (標準) @V
= 1.65~5.5 V
> V
電
形名
CC
圧
圧
圧
流
流
失
度
TC7SZ02AFS
記 号
V
I
V
T
OUT
V
I
I
CC
P
OUT
I
OK
CC
CC
IK
stg
IN
D
CC
= 3 V
= 5 V, 50 pF
ピン接続図
IN A
GND
IN B
−0.5~V
1
定
−65~150
−0.5~6
−0.5~6
1
2
3
−20
±50
±50
±20
50
CC
格
＋0.5
(top view)
(注 1)
質量: 0.001 g (標準)
単位
mW
mA
mA
mA
mA
°C
V
V
V
5 V
4
SON5-P-0.35
OUT Y
CC
TC7SZ02AFS
2009-09-09
(fSV)
Related parts for tc7sz02afs
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Description
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R
Part Number:
Description:
Toshiba Semiconductor [TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Toshiba Semiconductor [SILICON N CHANNEL 1GBT]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
Toshiba Semiconductor [GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Toshiba Semiconductor [Power Module]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE SILICON N CHANNEL LGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
tc7sz02afs Summary of contents
Page 1
... V ＋0.5 OUT CC − ± ±50 流 I OUT ±50 I 流 失 D −65~150 T 度 stg 1 TC7SZ02AFS SON5-P-0.35 質量: 0.001 g (標準) (top view OUT Y 単位 (注 °C 2009-09-09 (fSV) ...
Page 2
... OUT 記 号 定 V 圧 CC 圧 圧 OUT T 度 opr = 1.80V ± 0.15V, 2.5 V ± 0 dt/ TC7SZ02AFS 格 単位 1.65~5.5 V 1.5~5.5 (注 2) 0~5 −40~85 °C = 3.3 V ± 0.3 V) ns/V = 5.0 V ± 0.5 V) 2009-09-09 ...
Page 3
... GND V 0~5 5 GND V 1.65~5 TC7SZ02AFS Ta = 25° −40~85°C 最小 標準 最大 最小 最大 ⎯ ⎯ ⎯ × 0.75 × 0. ⎯ ⎯ ⎯ × 0.7 × ...
Page 4
... CC 1.80 ± 0.15 2.5 ± MΩ 3.3 ± 0.3 t pLH t 5.0 ± 0.5 pHL 3.3 ± 500 Ω 5.0 ± 0.5 ⎯ C 0~5.5 IN 3.3 C (注 5 ･ TC7SZ02AFS Ta = 25° −40~85°C 最小 標準 最大 最小 最大 2.0 5.3 9.6 2.0 9.8 0.8 3.2 5.3 0.8 5.7 0.5 2.4 3.7 0.5 4.0 0.5 1.9 2.9 0.5 3.2 1.5 3.0 4.6 1.5 4.9 0.8 2.4 3.6 0.8 3.9 ⎯ ...
Page 5
... SON5-P-0.35 質量: 0.001 g (標準) 5 TC7SZ02AFS Unit: mm 2009-09-09 ...
Page 6
... TC7SZ02AFS 2009-09-09 ...