tc7sz126afs TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, tc7sz126afs Datasheet
tc7sz126afs
Manufacturer Part Number
tc7sz126afs
Description
Bus Buffer With 3-state Output
Manufacturer
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet
1.TC7SZ126AFS.pdf
(6 pages)
Bus Buffer with 3-STATE Output
特 長
•
•
•
•
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絶対最大定格
(注 1):V
高出力電流
超高速動作
広い動作電圧範囲
入力端子に、5.5V トレラント機能あり
電
入
出
入 力 保 護 ダ イ オ ー ド 電 流
出 力 保 護 ダ イ オ ー ド 電 流
出
電
許
保
注:
源
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても､ 高負荷 (高温お
よび大電流/高電圧印加､ 多大な温度変化等) で連続して使用される場合は､ 信頼性が著しく低下するおそれが
あります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート､ 推定故障率等) をご確認の上､ 適切な信頼性設計をお願いします。
OUT
/
源
力
力
力
容
存
J X
項
< GND, V
G
(Ta = 25°C)
N
: ±24 mA (最小) @V
: t
: V
目
形名
電
電
電
電
損
温
D
OUT
pd
CC
東芝CMOSデジタル集積回路 シリコン モノリシック
= 2.6 ns (標準) @V
= 1.65~5.5 V
> V
電
CC
圧
圧
圧
流
流
失
度
TC7SZ126AFS
記 号
V
I
V
T
OUT
V
I
I
CC
P
OUT
I
OK
CC
CC
IK
stg
IN
D
= 3 V
CC
= 5 V, 50 pF
ピン接続図
−0.5~ V
GND 2
IN A 1
定
−65~150
−0.5~6
−0.5~6
1
−20
±20 (注 1)
±50
±50
50
G 3
CC
格
+0.5V
(top view)
単位
mW
mA
mA
mA
mA
°C
V
V
V
質量: 0.001 g (標準)
5 V
4 OUT Y
SON5-P-0.35
CC
TC7SZ126AFS
2009-09-30
(fSV)
Related parts for tc7sz126afs
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R
Part Number:
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Toshiba Semiconductor [TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Toshiba Semiconductor [SILICON N CHANNEL 1GBT]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Toshiba Semiconductor [GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Toshiba Semiconductor [Power Module]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE SILICON N CHANNEL LGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Part Number:
Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
tc7sz126afs Summary of contents
Page 1
... V IN −0.5~ V 圧 V +0.5V OUT CC − ±20 (注 ±50 I 流 OUT ±50 I 流 失 D −65~150 T 度 stg 1 TC7SZ126AFS SON5-P-0.35 質量: 0.001 g (標準 OUT Y 単位 °C 2009-09-30 (fSV) ...
Page 2
... Don’t Care Z : High Impedance 記 号 定 1.65~5.5 圧 1.5~5.5 V 0~5.5 圧 0~Vcc 圧 OUT −40~85 度 T opr = 1.80 V±0.15V, 2.5 V ± 0 3.3 V ± 0.3 V) dt/dv 0~ 5.0 V ± 0 TC7SZ126AFS 格 単位 V (注 °C ns/V 2009-09-30 ...
Page 3
... I 4 1.65 GND V 0~5 GND 5 TC7SZ126AFS Ta = 25° −40~85°C 最小 標準 最大 最小 最大 ⎯ ⎯ ⎯ × 0.75 × 0. ⎯ ⎯ ⎯ × 0.7 × ...
Page 4
... 3.3 ± 0.3 5.0 ± 0.5 ⎯ 0~5.5 ⎯ 0~5.5 3.3 (注 ･ Open 項 目 × GND t t pLH, pHL t t pLZ, pZL t t pHZ, pZH 4 TC7SZ126AFS Ta = 25° −40~85°C 最小 標準 最大 最小 最大 2.0 5.3 13.0 2.0 13.5 0.8 3.4 7.5 0.8 8.0 0.5 2.5 5.2 0.5 5.5 0.5 2.1 4.5 0.5 4.8 1.5 3.2 5.7 1.5 6.0 0.8 2.6 5.0 ...
Page 5
... SON5-P-0.35 質量: 0.001 g (標準) 5 TC7SZ126AFS Unit: mm 2009-09-30 ...
Page 6
... TC7SZ126AFS 2009-09-30 ...