tc7szu04afs TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, tc7szu04afs Datasheet
tc7szu04afs
Manufacturer Part Number
tc7szu04afs
Description
Inverter Unbuffered
Manufacturer
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet
1.TC7SZU04AFS.pdf
(6 pages)
INVERTER (Unbuffered)
特 長
•
•
•
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絶対最大定格
(注 1):V
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても､高負荷 (高温おび大
高出力電流
動作電圧範囲
入力端子に、5.5V トレラント機能あり
電
入
出
入 力 保 護 ダ イ オ ー ド 電 流
出 力 保 護 ダ イ オ ー ド 電 流
出
電
許
保
電流/高電圧印加､多大な温度変化等) で連続して使用される場合は､信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および個
別信頼性情報 (信頼性試験レポート､推定故障率等) をご確認の上､適切な信頼性設計をお願いします。
源
OUT
< GND, V
/
源
力
力
力
容
存
J 6
項
G
(Ta = 25°C)
N
OUT
: ±32mA (最小) @V
: V
目
形名
電
電
電
電
損
温
D
CC
> V
東芝CMOSデジタル集積回路 シリコン モノリシック
= 1.65 ~ 5.5 V
CC
電
圧
圧
圧
流
流
失
度
TC7SZU04AFS
記 号
V
I
CC
V
T
OUT
V
I
I
P
OUT
I
OK
CC
CC
IK
stg
IN
D
= 4.5 V
IN A
GND 2
NC 3
ピン接続図
1
−0.5 ~ Vcc+0.5
−65 ~ 150
±20 (注 1)
定
−0.5 ~ 6
−0.5 ~ 6
1
−20
±50
±50
50
格
(top view)
単位
mW
mA
mA
mA
mA
°C
V
V
V
質量: 0.001 g (標準)
5 V
4 OUT Y
CC
SON5-P-0.35
TC7SZU04AFS
2009-09-18
(fSV)
Related parts for tc7szu04afs
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Description
Manufacturer
Datasheet
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R
Part Number:
Description:
Toshiba Semiconductor [TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Toshiba Semiconductor [SILICON N CHANNEL 1GBT]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
Toshiba Semiconductor [GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Toshiba Semiconductor [Power Module]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE SILICON N CHANNEL LGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
tc7szu04afs Summary of contents
Page 1
... V IN −0.5 ~ Vcc+0.5 圧 V OUT − ±20 (注 ±50 流 I OUT ±50 I 流 失 D −65 ~ 150 T 度 stg 1 TC7SZU04AFS SON5-P-0.35 質量: 0.001 g (標準 OUT Y 単位 °C 2009-09-18 (fSV) ...
Page 2
... A Y OUT 記 号 定 1.65 ~ 5.5 圧 1 5.5 圧 IN 圧 Vcc OUT − 度 T opr 2 TC7SZU04AFS 格 単位 V (注 °C 2009-09-18 ...
Page 3
... GND V 0~5 5.5V or GND V 5 TC7SZU04AFS Ta = 25° −40~85°C 最小 標準 最大 最小 最大 ⎯ ⎯ ⎯ × 0.85 × 0. ⎯ ⎯ ⎯ × 0.8 × ...
Page 4
... CC 1.8±0.15 2.5 ± MΩ 3.3 ± 0.3 5.0 ± 0.5 3.3 ± 500 Ω 5.0 ± 0.5 ⎯ 5.5 3.3 (注 TC7SZU04AFS Ta = 25° −40~85°C 最小 標準 最大 最小 最大 ⎯ 1.0 8.5 1.0 9.0 ⎯ 0.8 6.2 0.8 6.5 ⎯ 0.5 4.5 0.5 4.8 ⎯ 0.5 3.9 0.5 4.1 ⎯ ...
Page 5
... SON5-P-0.35 質量: 0.001 g (標準) 5 TC7SZU04AFS Unit: mm 2009-09-18 ...
Page 6
... TC7SZU04AFS 2009-09-18 ...