6di10a-050

Manufacturer Part Number6di10a-050
DescriptionPower Transistor Module
ManufacturerFuji Electric holdings CO.,Ltd
6di10a-050 datasheet
 


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6DI10A-050
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
特長: : : : : Features
特長
特長
特長
特長
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード内蔵 
フリーホイリングダイオード
内蔵 
内蔵 
内蔵 Including Eree Wheeling Diode
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
内蔵 
hFE
hFE が高い 
hFE
が高い 
が高い 
が高い High DC Current Gain
hFE
hFE
が高い 
高速
高速スイッチング
高速
スイッチング
スイッチング          High Speed Switching
スイッチング
高速
高速
スイッチング
用途: : : : : Applications
用途
用途
用途
用途
ACモータ
ACモータ制御 
ACモータ
ACモータ
ACモータ
制御 
制御 
制御 
制御 AC Motor Controls         
無停電電源 
無停電電源 
無停電電源 
無停電電源 Uninterruptible Power Supply
無停電電源 
: Maximum ratings and characteristic
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
D C
1ms
DC
ベース電流
 DC
1ms
コレクタ損失
one Transistor
six Transistor
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧      AC.1min
締付けトルク
電気的特性
電気的特性
電気的特性
電気的特性
電気的特性
Electrical characteristics (T
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
逆回復時間
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
熱的特性
熱的特性
Item
熱 抵 抗
(10A)
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
Rating
Unit
V
600
V
CBO
V
600
V
CEO
V
450
V
CEO(SUS)
V
6
V
EBO
I
10
A
C
I
20
A
CP
-I
10
A
C
I
1
A
B
I
2
A
BP
P
80
W
C
P
480
W
C
T
+150
°C
j
-40 to +125
T
°C
stg
g
m
130
V
Viso
2500
N・m
Mounting *1
3.5
N・m
Terminal *1
=25°C unless otherwise specified)
c
Symbol
Test Conditions
V
I
= 1mA
CBO
CBO
V
I
= 1mA
CEO
CEO
V
I
= 1A
CEO(SUS)
C
V
=- ± 0.5A V
CEX(SUS)
I
=10A I
=6V
C
B
EB
V
EBO
I
= 200mA
EBO
I
CBO
V
= 600V
CBO
I
EBO
V
= 6V
EBO
-V
CE
-I
= 10A
C
h
FE
I
= 10A, V
= 5V
C
CE
V
CE(Sat)
I
= 10A, I
= 0.5A
C
B
V
BE(Sat)
t
on
=30 Ω
I
= 10A R
C
L
t
=50 µs
stg
I
= +0.5A P
B1
W
t
f
I
= -0.5A V
=300V
B2
CE
t
rr
=-6V, -di/dt=50A/ µ s
-Ic=10A,V
BE
Symbol
Test Conditions
R
Transistor
th(j-c)
R
Diode
th(j-c)
R
With Thermal Compound
th(c-f)
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
CASE
CASE
CASE
CASE
CASE
M601
M601
M601
M601
M601
UL
UL
E82988(M)
E82988(M)
UL
UL
UL
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
等 価 回 路 : : : : :
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
Equivalent Circuit Schematic
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
2.5to3.0N・m[25to30kgf・cm](M5)
Min.
Typ.
Max.
Units
600
600
450
500
6
1.0
200
-
1.5
100
2.0
2.5
1.0
12.0
2.0
0.4
Min.
Typ.
Max.
Units
°C/W
1.56
°C/W
2.5
0.05
°C/W
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
V
V
µs
µs
µs
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6di10a-050 Summary of contents

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