hy5du573222afm Hynix Semiconductor, hy5du573222afm Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: hy5du573222afm
• Description: 256m 8mx32 Gddr Sdram
• Manufacturer: Hynix Semiconductor

PIN CONFIGURATION
Rev. 0.5 / Aug. 2003
Note :
1. Outer ball, A1~A14, P1~P14, A1~P1, A14~P14 are depopulated.
2. Ball L9(NC2) is reserved for A12.
3. Ball M10(NC3) is reserved for BA2.
M
A
B
C
D
E
G
H
K
N
P
F
J
L
1
DQS0
DQ17
DQ19
DQS2
DQ21
DQ22
/RAS
/CAS
/CS0
DQ4
DQ6
DQ7
2
Note:
1. 8Mx32 DDR is composed of two 4Mx32 DDR.
2. Multi-chip(8Mx32 DDR) is controlled by CS0 and CS1, individually.
VDDQ
VDDQ
DQ16
DQ18
DQ20
DQ23
/W/E
DM0
DM2
DQ5
NC
NC
3
(Top View)
Auto Precharge Flag
VDDQ
VDDQ
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VSSQ
/CS1
VDD
VDD
BA0
Column Address
NC
NC
ROW and COLUMN ADDRESS TABLE
4
Chip Selection
Bank Address
Row Address
Organization
Refresh
Items
VDDQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
DQ3
VSS
VSS
BA1
A0
5
Termal
Termal
Termal
Termal
VSSQ
VSSQ
DQ2
DQ1
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
A10
A2
A1
6
Termal
Termal
Termal
Termal
VDDQ
DQ0
VDD
VDD
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
A11
A3
7
Termal
Termal
Termal
Termal
DQ31
VDDQ
VDD
VDD
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
A9
A4
8
1M x 32 x 4banks x 2chip
Termal
Termal
Termal
Termal
DQ29
DQ30
VSSQ
VSSQ
VSS
NC2
VSS
VSS
VSS
VSS
A5
A6
9
A0 ~ A11
BA0, BA1
CS0, CS1
8Mx32
A0 ~ A7
A8
4K
DQ28
VDDQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSS
VSS
NC3
10
A7
A8/AP
VSSQ
VDDQ
VDDQ
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VDD
VDD
CLK
11
NC
NC
HY5DU573222AFM
VDDQ
VDDQ
DQ26
DQ15
DQ13
DQ11
/CLK
DM3
DM1
DQ9
CKE
12
NC
DQS3
DQ27
DQ25
DQ24
DQ14
DQ12
DQS1
DQ10
VREF
DQ8
NC
13
NC
14
4