K4D261638E-TC2A SAMSUNG [Samsung semiconductor], K4D261638E-TC2A Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: K4D261638E-TC2A
• Description: 2M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM
• Manufacturer: SAMSUNG [Samsung semiconductor]

PIN CONFIGURATION
PIN DESCRIPTION
K4D261638E
CK,CK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
L(U)DQS
L(U)DM
RFU
Data Strobe
Differential Clock Input
Clock Enable
Chip Select
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Write Enable
Data Mask
Reserved for Future Use
(Top View)
AP/A
LDQS
V
V
V
LDM
V
V
CAS
RAS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
V
V
BA
BA
V
WE
DDQ
DDQ
NC
DDQ
NC
NC
NC
SSQ
SSQ
CS
DD
DD
A
A
A
A
DD
10
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
0
1
2
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
(0.65 mm Pin Pitch)
(400mil x 875mil)
66 PIN TSOP(II)
- 4 -
BA
A
DQ
V
V
V
V
NC
0
DD
SS
DDQ
SSQ
0
~A
0
, BA
~ DQ
11
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
1
15
V
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
NC
V
UDQS
NC
V
V
UDM
CK
CK
CKE
NC
NC
A
A
A
A
A
A
A
V
SS
SSQ
DDQ
SSQ
DDQ
SSQ
REF
SS
11
9
8
7
6
5
4
SS
15
14
13
12
11
10
9
8
Bank Select Address
Data Input/Output
Power
Ground
Power for DQ
Ground for DQ
No Connection
Address Input
128M DDR SDRAM
Rev. 1.2 (Jul. 2003)
’
s
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