2SJ613-TD-E SANYO, 2SJ613-TD-E Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: 2SJ613-TD-E
• Description: MOSFET, P CH 20V 6A SOT89
• Manufacturer: SANYO

Specifications of 2SJ613-TD-E

• Transistor Polarity: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 6A
• Drain Source Voltage Vds: -20V
• On Resistance Rds(on): 69mohm
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4V
• Voltage Vgs Max: 10V
• Operating Temperature: RoHS Compliant

100
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
1.0
0.1
2.0
1.5
1.0
0.5
10
10
--0.01
0
--0.1
2
7
5
3
2
7
5
3
2
5
3
2
7
5
3
2
7
0
0
0
V DS = --10V
V DS = --10V
I D = --6A
V DD = --10V
V GS = --4V
2
1
20
2
3
2
Ambient Temperature, Ta -- C
5 7
3
40
Total Gate Charge, Qg -- nC
Drain Current, I D -- A
--0.1
Drain Current, I D -- A
SW Time -- I D
3
5
60
V GS -- Qg
P D -- Ta
y
7
fs
2
4
--1.0
t d (on)
3
80
-- I D
5
5 7 --1.0
100
2
6
120
3
2
7
3
5
140
8
IT05004
5 7 --10
IT05006
IT05008
IT05010
7
--10
160
9
2SJ613
--0.001
--0.01
--0.01
1000
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
--10
--10
100
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
--0.1
3
2
7
5
3
2
7
3
2
7
3
2
7
3
2
7
3
2
0
7
5
3
2
7
5
2
7
5
3
2
7
5
3
2
5
5
5
5
0
0
0
Tc=25 C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (250mm
--2
Operation in this area
is limited by R DS (on).
20
2
--0.2
--4
3
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
40
Case Temperature, Tc -- C
5
--6
--0.4
7
60
--1.0
I F -- V SD
--8
P D -- Tc
A S O
--0.6
--10
80
2
--12
3
100
--0.8
2
--14
5
0.8mm)
120
7
--16
--10
--1.0
<10 s
f=1MHz
140
V GS =0
No.7296-3/4
--18
IT05005
IT05007
IT05009
IT05011
2
--1.2
--20
160
3