ECH8673-TL-H ON Semiconductor, ECH8673-TL-H Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: ECH8673-TL-H
• Description: MOSFET N/P-CH 40V 3.5A ECH8
• Manufacturer: ON Semiconductor
• Series: -r

Specifications of ECH8673-TL-H

• Fet Type: N and P-Channel
• Fet Feature: Logic Level Gate
• Rds On (max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2A, 10V
• Drain To Source Voltage (vdss): 40V
• Current - Continuous Drain (id) @ 25° C: 3.5A, 2.5A
• Vgs(th) (max) @ Id: -
• Gate Charge (qg) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
• Input Capacitance (ciss) @ Vds: 230pF @ 20V
• Power - Max: 1.5W
• Mounting Type: Surface Mount
• Package / Case: 8-SMD
• Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant

100
--10
450
400
350
300
250
200
150
100
1.0
0.1
1.0
10
10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
50
--0.01
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.1
0
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
0
V DS = --20V
I D = --2.5A
2
--2
1
2
3
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--1.5A
5 7
--4
3
Total Gate Charge, Qg -- nC
I D = --0.75A
2
t d (on)
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
--0.1
SW Time -- I D
5
--6
V GS -- Qg
|
y
7
fs | -- I D
3
2
--1.0
--8
3
5 7
4
--10
--1.0
2
5
--12
3
2
V DD = --20V
V GS = --10V
V DS = --10V
3
Ta=25°C
5
--14
6
IT16170
IT16172
IT16168
IT16174
5 7
[Pch]
[Pch]
[Pch]
7
[Pch]
ECH8673
--16
--10
--10
7
--0.01
--0.01
--100
1000
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
--10
--10
100
450
400
350
300
250
200
150
100
1.0
10
50
--0.1
0
--60 --40 --20
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
Ta=25° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(1200mm
Operation in this
area is limited by R DS (on).
2
--5
--0.2
3
2
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
×0.8mm) 1unit
Ambient Temperature, Ta -- ° C
--10
5 7
--0.4
0
--1.0
R DS (on) -- Ta
20
--15
I S -- V SD
--0.6
2
A S O
40
--20
3
60
--0.8
5 7
--25
80
--10
--1.0
100
--30
No. A1892-5/6
2
120
3
V GS =0V
--1.2
f=1MHz
--35
140
IT16169
IT16171
IT16173
IT16175
5
[Pch]
[Pch]
[Pch]
[Pch]
7
--100
--1.4
160
--40