FP75R12KE3 Eupec GmbH, FP75R12KE3 Datasheet

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FP75R12KE3

Manufacturer Part Number
FP75R12KE3
Description
Manufacturer
Eupec GmbH
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FP75R12KE3
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
27
Part Number:
FP75R12KE3
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
FP75R12KE3
Quantity:
115
Company:
Part Number:
FP75R12KE3
Quantity:
350
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert proChip
Forward current RMS maximum per Chip
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Technische Information / Technical Information
2
2
t - value
t - value
T
T
T
t
t
t
t
T
Tc = 80 °C
T
t
T
t
V
T
T
T
t
T
t
date of publication:23.04.2002
revision: 2
FP75R12KE3
P
P
P
P
P
P
P
P
vj
C
C
vj
C
C
vj
C
C
C
R
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 1 ms, T
= 1 ms
= 25°C
= 25°C
= 25°C
= 80°C
= 80°C
= 25°C
= 25 °C
= 25°C
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
p
= 10ms, T
C
= 80°C
vj
vj
vj
vj
=
= 150°C
=
= 150°C
1(11)
25°C
25°C
vj
= 125°C
T
C
= 80 °C
I
I
RMSmax
I
I
V
FRMSM
V
V
V
V
I
C,nom.
I
I
C,nom.
I
I
P
P
FSM
CRM
FRM
CRM
FRM
I
I
RRM
I
I
CES
GES
I
CES
GES
I
2
2
C
F
C
F
tot
tot
t
t
+/- 20V
+/- 20V
1.190
1600
1250
1200
1200
115
500
400
800
105
150
350
150
200
80
75
75
40
55
80
25
50
DB-PIM-IGBT3_2Serie.xls
A
A
A
W
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

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FP75R12KE3 Summary of contents

Page 1

... Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: Andreas Schulz approved by: Robert Severin FP75R12KE3 T = 25° 80° 80° ms 25° ...

Page 2

... Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data FP75R12KE3 RMS Hz min. NTC connected to Baseplate T = 150° 150° ...

Page 3

... Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Durchlaßspannung forward voltage Schaltverluste und -bedingungen Switching losses and conditions NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R 100 deviation of R 100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value FP75R12KE3 T = 25° 0V 25° 0V 125°C, ...

Page 4

... Gewicht weight Luftstrecke clearance Kriechstrecke creeping distance Transiente Thermische Eigenschaften / Transient Thermal properties FP75R12KE3 Gleichr. Diode/ Rectif. Diode Trans. Wechsr./ Trans. Inverter Diode Wechsr./ Diode Inverter Trans. Bremse/ Trans. Brake Diode Bremse/ Diode Brake Gleichr. Diode/ Rectif. Diode =1W/m*K Paste Trans ...

Page 5

... Tvj = 125°C 100 0,5 1 Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical) Vge=19V 140 Vge=17V Vge=15V 120 Vge=13V Vge=11V 100 Vge= 0,5 1 FP75R12KE3 1 125°C vj 1 [V] CE 5(11) ) ...

Page 6

... Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) Forward characteristic of FWD Inverter (typical) 140 120 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 100 0,5 FP75R12KE3 Tvj=25°C Tvj=125° [ 1 [V] F 6(11 ...

Page 7

... Switching losses Inverter (typical) 30 Eon 25 Eoff Erec Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) 25 Eon 20 Eoff Erec FP75R12KE3 off 125° ± 100 I [ off T = 125° ...

Page 8

... Zth-FWD 0,1 0,01 0,001 0,01 Sicherer Arbeitsbereich IGBT-Wechselr. (RBSOA) Reverse bias save operating area (RBSOA) 160 140 120 IC,Modul 100 IC,Chip 200 FP75R12KE3 Z thJC Ri und ti-Werte siehe and ti-Values see P. 4 0 15V 400 600 800 V [V] CE 8(11 ( 125° ...

Page 9

... Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical Tvj = 25°C Tvj = 125° 0,5 1 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) I Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical 0,5 1 FP75R12KE3 1 [V] CE Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1,5 2 2,5 V [V] F 9(11 3,5 4 4,5 5 ...

Page 10

... Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical) 140 120 100 0,2 0,4 NTC- Temperaturkennlinie (typisch) NTC- temperature characteristic (typical) 100000 10000 1000 100 FP75R12KE3 I F Tvj = 25°C Tvj = 150°C 0,6 0,8 1 1 (T) Rtyp 60 80 100 T [°C] C 10(11 ...

Page 11

... Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. FP75R12KE3 ...

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