BSM200GAL120DLC Eupec GmbH, BSM200GAL120DLC Datasheet

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BSM200GAL120DLC

Manufacturer Part Number
BSM200GAL120DLC
Description
eupec GmbH [62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode]
Manufacturer
Eupec GmbH
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
BSM200GAL120DLC
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
25
Part Number:
BSM200GAL120DLC
Manufacturer:
EUPEC/Infineon
Quantity:
1 000
Part Number:
BSM200GAL120DLC
Quantity:
50
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
prepared by: Mark Münzer
approved by: Jens Thurau
IGBT-Module
IGBT-Modules
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Technische Information / Technical Information
2
t - value, Diode
T
T
t
T
t
V
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
I
I
I
f = 1MHz,T
f = 1MHz,T
V
V
V
date of publication: 02.12.1998
revision: 1a
BSM200GB120DLC
P
P
C
C
C
V
C
C
C
R
CE
CE
CE
GE
= 1 ms, T
=25°C, Transistor
= 1 ms
= 200A, V
= 200A, V
= 8mA, V
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
= 1200V, V
= 1200V, V
= 0V, V
= -15V...+15V
p
vj
vj
= 10ms, T
C
CE
GE
GE
GE
= 25°C,V
= 25°C,V
= 80°C
= V
= 20V, T
= 15V, T
= 15V, T
GE
GE
1(8)
GE
= 0V, T
= 0V, T
, T
Vj
CE
CE
vj
vj
= 125°C
vj
vj
= 25V, V
= 25V, V
= 25°C
= 25°C
= 25°C
= 125°C
vj
vj
= 25°C
= 125°C
GE
GE
= 0V
= 0V
V
I
V
V
V
V
C,nom.
I
I
C
C
I
I
CRM
P
CE sat
GE(th)
Q
FRM
CES
GES
I
ISOL
CES
I
GES
I
2
res
C
tot
F
ies
G
t
vorläufige Daten
preliminary data
min.
4,5
-
-
-
-
-
-
-
-
+/- 20V
1200
typ.
0,02
200
420
400
200
400
1,3
2,5
2,1
2,4
5,5
0,5
13
-
-
-
-
DB_BSM200GB120DLC.xls
max.
400
2,6
6,5
0,5
-
-
-
kA
kW
mA
mA
kV
nF
nF
nA
V
A
A
A
V
A
A
V
V
V
C
2
s

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BSM200GAL120DLC Summary of contents

Page 1

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom ...

Page 2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) ...

Page 3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical ...

Page 4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) 400 350 Tj = 25°C 300 Tj = 125°C 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 400 350 VGE = 17V ...

Page 5

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) 400 350 300 250 200 150 100 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 400 350 300 250 200 150 100 ...

Page 6

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 100 90 Eoff Eon 80 Erec 100 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 100 90 Eoff Eon 80 Erec ...

Page 7

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM200GB120DLC IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 1 0,1 0,01 0,001 0,001 0, [K/kW] : IGBT i [sec] : IGBT i r [K/kW] : Diode i [sec] : Diode i Sicherer Arbeitsbereich ...

Page 8

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM200GB120DLC IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data 8(8) DB_BSM200GB120DLC.xls ...

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