BSM75GP60 Eupec GmbH, BSM75GP60 Datasheet

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BSM75GP60

Manufacturer Part Number
BSM75GP60
Description
Manufacturer
Eupec GmbH
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
BSM75GP60
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
25
Part Number:
BSM75GP60
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
300
Part Number:
BSM75GP60
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
BSM75GP60
Quantity:
50
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert
RMS forward current per chip
Dauergleichstrom
DC forward current
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Technische Information / Technical Information
2
2
t - value
t - value
T
t
t
t
t
Tc = 70 °C
T
t
T
Tc = 70 °C
t
V
T
T
t
T
Tc = 70 °C
t
date of publication:29.03.2001
revision: 5
BSM75GP60
P
P
P
P
P
P
P
P
C
C
C
C
C
C
R
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 1 ms, T
= 1 ms
= 25°C
= 25°C
= 80°C
= 25 °C
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
p
= 10ms, T
C
= 80°C
vj
vj
vj
vj
=
= 150°C
=
= 150°C
1(11)
25°C
25°C
vj
= 125°C
T
C
= 70 °C
I
I
I
V
FRMSM
V
V
V
V
C,nom.
I
C,nom.
I
I
I
I
P
P
FSM
CRM
FRM
CRM
FRM
RRM
I
I
CES
I
GES
I
CES
I
GES
I
I
2
2
C
C
d
tot
F
tot
F
t
t
+/- 20V
+/- 20V
1600
1250
37,5
17,5
500
400
800
600
100
150
310
150
920
600
180
60
75
75
75
50
75
35
DB-PIM-10.xls
A
A
A
W
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

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BSM75GP60 Summary of contents

Page 1

... Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: Andreas Schulz approved by: Robert Severin BSM75GP60 T = 80° ms 25° ms 150°C ...

Page 2

... Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data BSM75GP60 RMS Hz min. NTC connected to Baseplate T = 150° 150° ...

Page 3

... Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Durchlaßspannung forward voltage NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R 100 deviation of R 100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value BSM75GP60 T = 25° 0V 25° 0V 125°C, ...

Page 4

... Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Gewicht weight BSM75GP60 Gleichr. Diode/ Rectif. Diode Trans. Wechsr./ Trans. Inverter Diode Wechsr./ Diode Inverter Trans. Bremse/ Trans. Brake Diode Bremse/ Diode Brake Gleichr. Diode/ Rectif. Diode =1W/m*K Paste Trans ...

Page 5

... Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical) 140 VGE = 20V VGE = 15V 120 VGE = 12V VGE = 10V 100 VGE = 0,5 1 BSM75GP60 25° 125°C 1 125°C vj 1,5 ...

Page 6

... Transfer characteristic Inverter (typical) 140 120 100 Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) Forward characteristic of FWD Inverter (typical) 140 120 100 0,2 0,4 BSM75GP60 25° 125° [ 25° 125°C 0,6 0 [V] F 6(11 ...

Page 7

... Eoff Erec Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) 5 4,5 Eon Eoff 4 Erec 3,5 3 2,5 2 1 BSM75GP60 off T = 125° ± 100 I [ off T = 125° +- ...

Page 8

... Transient thermal impedance Inverter 1 Zth-IGBT Zth-FWD 0,1 0,01 0,001 0,01 Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA) 160 140 120 100 100 BSM75GP60 Z thJC 0 125° IC,Modul IC,Chip 200 300 400 V [V] CE 8(11 ( ...

Page 9

... Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical 25° 125° 0,5 1 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical 0,5 BSM75GP60 1 25° 125°C 1 1,5 V [V] F 9(11 3,5 4 4,5 ...

Page 10

... Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical) 140 120 100 0,2 0,4 NTC- Temperaturkennlinie (typisch) NTC- temperature characteristic (typical) 100000 10000 1000 100 BSM75GP60 25° 150°C 0 (T) Rtyp 60 80 100 T [°C] C 10(11 ...

Page 11

... Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. BSM75GP60 ...

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