FSS139 Sanyo Semiconductor Corporation, FSS139 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: FSS139
• Description: P-channel Silicon Mosfet
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

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Switching Time Test Circuit
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
160
140
120
100
80
60
40
20
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
0
0
I D = --2A
Parameter
--0.1
PW=10 s
D.C. 1%
--4V
--0.2
--2
0V
P.G
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--4A
V IN
--0.3
R DS (on) -- V GS
--0.4
I D -- V DS
--4
V IN
50
--0.5
G
--0.6
R DS (on) 1
R DS (on) 2
--6
Symbol
t d (on)
t d (off)
Coss
Ciss
Crss
V SD
Qgs
Qgd
Qg
t r
t f
V DD = --10V
--0.7
D
V GS = --1.5V
S
--0.8
--8
I D = --4A
R L =2.5
I D =--4A, V GS =--4V
I D =--2A, V GS =--2.5V
V DS =--10V, f=1MHz
V DS =--10V, f=1MHz
V DS =--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
V DS =--10V, V GS =--10V, I D =- -4A
V DS =--10V, V GS =--10V, I D =- -4A
V DS =--10V, V GS =--10V, I D =- -4A
I S =--4A, V GS =0
Ta=25 C
--0.9
IT02298
IT02300
FSS139
V OUT
FSS139
--1.0
--10
Conditions
160
140
120
100
80
60
40
20
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
--60
0
V DS =10V
--40
--0.2
--20
--0.4
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- C
0
--0.6
min
R DS (on) -- Ta
20
--0.8
I D -- V GS
40
Ratings
--1.0
typ
--0.89
1000
190
120
200
1.6
2.3
60
60
78
13
52
78
23
--1.2
80
max
--1.4
100
--1.5
110
78
--1.6
No.7019-2/4
120
m
m
Unit
--1.8
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
140
IT02299
IT02301
--2.0
160