SCH2805 Sanyo Semiconductor Corporation, SCH2805 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: SCH2805
• Description: Mosfet P-channel Silicon Mosfet Sbd Schottky Barrier Diode
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

10000
1000
100
100
1.0
--10
10
10
0.8
0.6
0.4
0.2
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
--0.01
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
7
5
3
2
7
5
3
2
0
3
0
0
V DS = --10V
I D = --0.5A
20
5
2
0.5
7
Ambient Temperature, Ta -- C
3
40
Total Gate Charge, Qg -- nC
--0.1
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
SW Time -- I D
5
60
V GS -- Qg
1.0
P D -- Ta
yfs
7
2
--0.1
80
t d (on)
-- I D
3
1.5
100
2
5
120
3
7
V DD = --30V
V GS = --10V
V DS = --10V
2.0
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
--1.0
5
140
IT03945
IT03947
IT03949
IT06912
7
--1.0
160
2.5
SCH2805
2
--0.01
--0.01
--1.0
--0.1
--0.1
--1.0
100
1.0
10
--0.01
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.4
7
5
3
2
7
5
3
2
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
0
I DP = --2A
I D = --0.5A
Ciss, Coss, Crss -- V DS
2 3
Ta=25 C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm
--0.5
--10
5 7
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
--0.6
--0.1
Operation in this area
is limited by R DS (on).
--20
2 3
--0.7
I F -- V SD
5 7
A S O
--1.0
--0.8
--30
2 3
--0.9
--40
2
5 7
0.8mm) 1unit
--1.0
--10
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
--50
2 3
<10 s
No.7760-4/6
f=1MHz
--1.1
V GS =0
IT03946
IT03948
IT06911
5 7
--100
--1.2
--60