MJD47-1 Motorola Semiconductor Products, MJD47-1 Datasheet - Page 2

MJD47-1

Manufacturer Part Number

MJD47-1

Description

NPN Silicon Power Transistors 1 Ampere 250, 400 Volts 15 Watts

Manufacturer

Motorola Semiconductor Products

Datasheet

1.MJD47-1.pdf (6 pages)

Current page: 2 of 6
Download datasheet (185Kb)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

MJD47 MJD50

(1) Pulse Test: Pulse Width

ELECTRICAL CHARACTERISTICS – continued

OFF CHARACTERISTICS — continued

ON CHARACTERISTICS (1)

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter On Voltage

Current Gain — Bandwidth Product

Small–Signal Current Gain

2.5

1.5

0.5

T A T C

(V CE = 350 Vdc, V BE = 0)

(V CE = 500 Vdc, V BE = 0)

(V BE = 5 Vdc, I C = 0)

(I C = 0.3 Adc, V CE = 10 Vdc)

(I C = 1 Adc, V CE = 10 Vdc)

(I C = 1 Adc, I B = 0.2 Adc)

(I C = 1 Adc, V CE = 10 Vdc)

(I C = 0.2 Adc, V CE = 10 Vdc, f = 2 MHz)

(I C = 0.2 Adc, V CE = 10 Vdc, f = 1 kHz)

T C

Figure 1. Power Derating

T A (SURFACE MOUNT)

T, TEMPERATURE ( C)

300 s, Duty Cycle

Characteristic

100

TYPICAL CHARACTERISTICS

2%.

125

(T C = 25 _ C unless otherwise noted)

150

V EB(off)

APPROX

+11 V

APPROX

+11 V

V in

V in 0

MJD47

MJD50

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

TURN–OFF PULSE

Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit

TURN–ON PULSE

Î Î Î Î

t 2

t 1

V CE(sat)

V BE(on)

Symbol

I CES

I EBO

h FE

h fe

f T

t 3

10 < t 2 < 500 s

V CC

Î Î Î Î

V in

DUTY CYCLE 2%

APPROX – 9 V

t 3 < 15 ns

t 1 7 ns

C jd << C eb

Min

—

R B and R C VARIED TO OBTAIN

DESIRED CURRENT LEVELS.

R B

Î Î Î Î

R C

– 4 V

Max

150

0.1

1.5

—

Î Î Î

mAdc

Unit

MHz

Vdc

—

SCOPE

MJD47-1 Motorola Semiconductor Products, MJD47-1 Datasheet - Page 2

MJD47-1

Related parts for MJD47-1