CPH3327 Sanyo Semicon Device, CPH3327 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: CPH3327
• Description: P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
• Manufacturer: Sanyo Semicon Device

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Package Dimensions
unit : mm
2152A
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
1
--0.6
--0.5
--0.4
--0.3
--0.2
--0.1
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0
3
2.9
1.9
--0.2
--2
2
Parameter
0.4
--0.4
--4
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--0.6
--6
R DS (on) -- V GS
I D -- V DS
--0.8
--8
0.15
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : CPH3
--1.0
--10
--1.2
--12
0.05
Symbol
V SD
Qgs
Qgd
Qg
--1.4
--14
--1.6
--16
Ta=25 C
I D = --0.3A
V DS =--50V, V GS =- -10V, I D =--0.6A
V DS =--50V, V GS =- -10V, I D =--0.6A
V DS =--50V, V GS =- -10V, I D =--0.6A
I S =--0.6A, V GS =0
--1.8
--18
IT07478
IT07480
CPH3327
--2.0
--20
Conditions
--1.0
--0.9
--0.8
--0.7
--0.6
--0.5
--0.4
--0.3
--0.2
--0.1
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
Switching Time Test Circuit
0
0
--60
0
V DS = --10V
--10V
P.G
--40
0V
PW=10 s
D.C. 1%
--0.5
--20
V IN
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- C
--1.0
0
min
R DS (on) -- Ta
V IN
20
I D -- V GS
50
G
--1.5
40
Ratings
typ
www.DataSheet4U.com
--0.85
60
V DD = --50V
--2.0
7.0
1.0
1.0
D
80
S
I D = --300mA
R L =166
--2.5
max
100
CPH3327
--1.2
120
V OUT
No.7914-2/4
--3.0
140
IT07479
IT07481
Unit
nC
nC
nC
V
--3.5
160