CPH6314 Sanyo Semicon Device, CPH6314 Datasheet

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CPH6314

Manufacturer Part Number
CPH6314
Description
CPH6314
Manufacturer
Sanyo Semicon Device
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
CPH6314
Manufacturer:
Sanyo
Quantity:
39 000
Part Number:
CPH6314-TL-E
Manufacturer:
SANYO
Quantity:
8 000
Part Number:
CPH6314-TL-E
Manufacturer:
SANYO/三洋
Quantity:
20 000
注文コード No.
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
特長
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(パルス)
許容損失
チャネル温度
保存周囲温度
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン・ソース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
・低オン抵抗。
・高速スイッチング。
・4V 駆動。
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途 (生命維持装置、 航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
CPH6314
V DSS
V GSS
I D
I DP
P D
Tch
Tstg
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
V GS (off)
R DS (on)1
R DS (on)2
R DS (on)3
Ciss
Coss
Crss
y
fs
PW ≦ 10 s, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(1200mm
P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
高速スイッチング用
CPH6314
I D = − 1mA, V GS =0
V DS = − 30V, V GS =0
V GS = ± 16V, V DS =0
V DS = − 10V, I D = − 1mA
V DS = − 10V, I D = − 2A
I D = − 2A, V GS = − 10V
I D = − 1A, V GS = − 4.5V
I D = − 1A, V GS = − 4V
V DS = − 10V, f=1MHz
V DS = − 10V, f=1MHz
V DS = − 10V, f=1MHz
2
外形図 2151A
(unit : mm)
× 0.8mm)装着時
1
6
2
2.9
5
0.95
− 1.2
− 30
3
4
− 55 ∼+ 150
min
2.5
0.4
HD 010316-yoshimura-1/2
− 30
± 10
− 16
− 4
150
105
510
115
typ
1.6
3.6
53
92
78
 次ページへ続く。
0.15
1 : Drain
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Drain
6 : Drain
SANYO : CPH6
unit
− 2.6
No.
± 10
W
V
V
A
A
max
− 1
暫定規格
暫定規格
暫定規格
暫定規格
暫定規格
129
147
0.05
69
unit
m
m
m
pF
pF
pF
V
V
S
A
A

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