PBSS4160V Philips Semiconductors, PBSS4160V Datasheet - Page 6
PBSS4160V
Manufacturer Part Number
PBSS4160V
Description
NPN low VCEsat (BISS) transistor
Manufacturer
Philips Semiconductors
Datasheet
1.PBSS4160V.pdf
(14 pages)
Philips Semiconductors
9397 750 14359
Product data sheet
Fig 3. DC current gain as a function of collector
Fig 5. Collector-emitter saturation voltage as a
V
CEsat
(1) T
(2) T
(3) T
(V)
(1) T
(2) T
(3) T
h
10
10
10
800
600
400
200
FE
10
0
1
1
2
3
10
V
current; typical values
I
function of collector current; typical values
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
1
1
B
= 5 V
= 10
= 100 C
= 25 C
= 55 C
= 100 C
= 25 C
= 55 C
1
1
(2)
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
(3)
10
10
2
2
10
10
3
I
3
C
I
C
(mA)
mle130
(mA)
mle135
Rev. 02 — 31 January 2005
10
10
4
4
Fig 4. Base-emitter voltage as a function of collector
Fig 6. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
CEsat
(V)
V
10
10
(V)
BE
1.2
0 8
0 4
0
1
10
10
1
2
V
current; typical values
I
function of collector current; typical values
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
1
1
B
60 V, 1 A NPN low V
= 5 V
= 20
= 55 C
= 25 C
= 100 C
= 100 C
= 25 C
= 55 C
1
1
10
10
(1)
(3)
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
(2)
10
10
PBSS4160V
(1)
(2)
(3)
2
2
CEsat
10
10
(BISS) transistor
3
3
I
I
C
C
mle133
mle104
(mA)
(mA)
10
10
4
4
6 of 14