VEC2822 Sanyo Semicon Device, VEC2822 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: VEC2822
• Description: P-Channel Silicon MOSFET / Schottky Barrier Diode
• Manufacturer: Sanyo Semicon Device

www.DataSheet.co.kr
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
100
1.0
10
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
10
3
2
7
5
3
2
7
--0.1
5
3
2
7
5
3
2
7
5
--0.1
0
0
0
0
V DS = --10V
I D = --3.5A
20
2
2
2
Ambient Temperature, Ta -- °C
3
40
Total Gate Charge, Qg -- nC
3
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
SW Time -- I D
5
⏐
60
V GS -- Qg
5
y
4
P D -- Ta
7
t d (on)
fs⏐ -- I D
7
--1.0
80
--1.0
6
100
2
2
120
3
V DD = --10V
V GS = --4.5V
V DS = --10V
3
8
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
5
140
IT06420
IT06422
IT13025
IT13020
5
7
--10
160
10
VEC2822
7
--0.001
--0.01
--0.01
1000
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
100
--10
--10
--0.1
--0.2
2
7
5
3
2
7
5
3
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
Ta=25°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (1200mm
Operation in this
area is limited by R DS (on).
--0.3
--2
2
Ciss, Coss, Crss -- V DS
--0.4
--4
3
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
--0.5
5
--6
7
--0.6
--1.0
I S -- V SD
--8
A S O
--0.7
--10
2
--0.8
--12
3
2
✕0.8mm) 1unit
--0.9
--14
5
7
--1.0
--16
--10
No. A0961-4/6
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
PW ≤10µs
V GS =0V
f=1MHz
--1.1
--18
IT13019
IT06421
IT06423
2
--1.2
--20
3
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/