atp113 Sanyo Semiconductor Corporation, atp113 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: atp113
• Description: P-channel Silicon Mosfet
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

1000
100
--10
1.0
10
10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
70
60
50
40
30
20
10
--0.1
--0.1
7
5
3
2
7
5
3
2
7
7
5
3
2
7
5
3
2
7
0
--1
0
V DS = --30V
I D = --35A
V DS = --10V
Single pulse
V DD = --30V
V GS = --10V
--5A
--2
2
2
--3
I D = --18A
3
10
3
--4
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--9A
5 7
5
Total Gate Charge, Qg -- nC
--5
7
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
--1.0
Drain Current, I D -- A
--6
20
SW Time -- I D
--1.0
V GS -- Qg
|
--7
y
fs | -- I D
2
t d (on)
--8
2
30
3
--9
3
5 7
--10
5
--11
7
--10
40
--10
--12
2
Tc=25 ° C
Single pulse
--13
2
50
3
--14
3
IT15603
IT15605
5 7
IT15607
IT15609
--15
5
ATP113
--16
--10
60
7
--0.001
--0.01
--100
--100
1000
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
--10
--10
100
70
60
50
40
30
20
10
--0.2
--0.1
0
--50
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
Tc=25°C
Single pulse
V GS =0V
Single pulse
I DP = --105A (PW≤10μs)
I D = --35A
--0.3
2
--25
Operation in
this area is
limited by R DS (on).
--10
--0.4
3
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
5 7
--0.5
0
Case Temperature, Tc -- ° C
--1.0
--20
R DS (on) -- Tc
--0.6
25
I S -- V SD
--0.7
2
A S O
--30
3
50
--0.8
5 7
--0.9
75
--40
--10
--1.0
100
No. A1755-3/4
2
Single pulse
--1.1
--50
3
f=1MHz
125
--1.2
IT15604
IT15606
IT15608
5 7
IT15610
--100
--1.3
--60
150