is43dr16640a-3dbi Integrated Silicon Solution, Inc., is43dr16640a-3dbi Datasheet

no-image

is43dr16640a-3dbi

Manufacturer Part Number
is43dr16640a-3dbi
Description
1gb X8, X16 Ddr2 Sdram
Manufacturer
Integrated Silicon Solution, Inc.
Datasheet
IS43DR81280A, IS43/46DR16640A  
1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM
FEATURES 
OPTIONS   
Clock Cycle Timing
Note: The ‐37C device specification is shown for reference only. 
 
 
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without 
Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com –
Rev. 00A, 12/11/2009
notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the 
latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products. 
Speed Grade 
CL‐tRCD‐tRP 
tCK (CL=3) 
tCK (CL=4) 
tCK (CL=5) 
tCK (CL=6) 
tCK (CL=7) 
Frequency (max) 
• Configuration: 
• Package: 
Clock frequency up to 533MHz 
8 internal banks for concurrent operation 
4‐bit prefetch architecture 
Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7 
Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5 
and 6 
Write Latency = Read Latency‐1 
Programmable Burst Sequence: Sequential or 
Interleave 
Programmable Burst Length: 4 and 8 
Automatic and Controlled Precharge Command 
Power Down Mode 
Auto Refresh and Self Refresh 
Refresh Interval: 7.8 μs (8192 cycles/64 ms) 
OCD (Off‐Chip Driver Impedance Adjustment) 
ODT (On‐Die Termination) 
Weak Strength Data‐Output Driver Option 
128Mx8 (16M x 8 x 8 banks) 
64Mx16 (8M x 16 x 8 banks)  
60‐ball FBGA for x8 
84‐ball FBGA for x16 
 
DDR2‐533C 
 
4‐4‐4 
‐37C 
3.75 
3.75 
3.75 
3.75 
266 
 
DDR2‐667D 
5‐5‐5 
3.75 
333 
‐3D 
DDR2‐800E 
6‐6‐6 
‐25E 
3.75 
400 
ADDRESS TABLE 
2.5 
2.5 
Parameter 
Row Addressing 
Column Addressing 
Bank Addressing 
Precharge Addressing 
Bidirectional differential Data Strobe (Single‐
ended data‐strobe is an optional feature) 
On‐Chip DLL aligns DQ and DQs transitions with 
CK transitions 
DQS# can be disabled for single‐ended data 
strobe 
Read Data Strobe supported (x8 only) 
Differential clock inputs CK and CK# 
VDD and VDDQ = 1.8V ± 0.1V 
PASR (Partial Array Self Refresh) 
SSTL_18 interface 
tRAS lockout supported 
Operating temperature: 
Commercial (T
Industrial (T
Automotive, A1 (T
95°C) 
DDR2‐800D 
5‐5‐5 
‐25D 
3.75 
400 
= ‐40°C to +85°C; T
2.5 
2.5 
2.5 
= 0°C to +70°C ; T
PRELIMINARY INFORMATION 
= ‐40°C to +85°C; T
BA0‐BA2 
128Mx8 
A0‐A13 
A0‐A9 
A10 
DDR2‐1066F 
DECEMBER 2009 
1.875 
7‐7‐7 
‐19F 
3.75 
533 
= ‐40°C to 95°C) 
2.5 
= 0°C to 85°C) 
BA0‐BA2 
64Mx16 
A0‐A12 
= ‐40°C to 
A0‐A9 
A10 
Units 
MHz 
1
tCK 
ns 
ns 
ns 
ns 
ns 
 

Related parts for is43dr16640a-3dbi

is43dr16640a-3dbi Summary of contents

Page 1

... Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 • ...

Page 2

... VSSQ DQ ground VREF Reference voltage VDDL DLL power supply VSSDL DLL ground ODT On Die Termination Enable NC No connect Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 DQS RDQS VDD VSSQ VSS DQ6 VSSQ DQS VSSQ ...

Page 3

... VDDQ DQ power supply VSSQ DQ ground VREF Reference voltage VDDL DLL power supply VSSDL DLL ground ODT On Die Termination Enable NC No connect Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 VDD NC VSS VSSQ B DQ14 VSSQ UDM ...

Page 4

... To guarantee ODT off, VREF must be valid and a LOW level must be applied to the ODT pin.    Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 1  at a LOW state (all other inputs may be  ...

Page 5

... Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 ...

Page 6

... Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 Active  ...

Page 7

... Mode  register  Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – ...

Page 8

... Note: All bits in EMR[3] except BA0 and BA1 are reserved for future use and must be set to 0 when programming the EMR[3].   Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 A7 High Temperature Self-Refresh Rate Enable ...

Page 9

... Self refresh exit is asynchronous.  8. VREF must be maintained during Self Refresh operation.  9. An refers to the MSBs of addresseses. An=A13 for x8, and An=A12 for x16.  Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 CS# RAS# CAS# WE# Current  ...

Page 10

... Name (Functional) Write Enable Write Inhibit Note:   1. Used to mask write data, provided coincident with the corresponding data.  Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 (3) Command (N) (1) RAS#, CAS#, WE#, CS# Current Cycle ...

Page 11

... REFRESH is used during normal operation of the DDR2 SDRAM and is analogous to CAS#‐before‐RAS# (CBR) REFRESH. All banks must  be in the idle mode prior to issuing a REFRESH command. This command is nonpersistent, so it must be issued each time a refresh is  Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 ...

Page 12

... ODT turn off time min, tAOF(Min), is when the device starts to turn off the ODT resistance. ODT turn off time max, tAOF(Max) is when the bus is in high  impedance. Both are measured from tAOFD. Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 ...

Page 13

... ODT Timing for Precharge Power‐Down Mode  Note: Both ODT to Power Down Endtry and Exit Latencies tANPD and tAXPD are not met, therefore Power‐Down Mode timings have to be applied. Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 ...

Page 14

... Parameter  VIH(DC)   DC input logic HIGH  VIL(DC)   DC input logic LOW  Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 ‐1.0 to 2.3  ‐ 0.5 to 2.3  ‐ 0.5 to 2.3  ‐ 0.5 to 2.3  ...

Page 15

... The typical value of VIX(AC) is expected to be about 0.5 x VDDQ of the transmitting device and VIX(AC) is expected to track variations in VDDQ. VIX(AC) indicates  the voltage at which differential input signals must cross.    Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 DDR2‐533  ...

Page 16

... Note: Please refer to AC Overshoot and Undershoot Definition Diagram.  AC Overshoot and Undershoot Definition Diagram  DDQ Volts ( SSQ Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 V DDQ SSQ Min.  0.5 x VDDQ‐0.125  ...

Page 17

... Input Capacitance (all other input‐only pins)  Input Capacitance Delta (all other input‐only  pins)  I/O Capacitance (DQ, DM, DQS, DQS#)  I/O Capacitance Delta (DQ, DM, DQS, DQS#)  Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 Parameter  SSTL_18  Parameter  ...

Page 18

... Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 Symbol  ...

Page 19

... For DDR2‐667/800/1066 testing, tCK in the Conditions should be interpreted as tCK(avg).  3. Definitions for IDD:  Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 . MRS A12 bit is set to  . MRS A12 bit is set to  ...

Page 20

... IDD specifications are tested after the device is properly initialized.  2. Input slew rate is specified by AC Parametric Test Condition.  3. IDD parameters are specified with ODT disabled.  Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 ‐37C  ‐3D  DDR2‐533C  ...

Page 21

... Data Hold Skew  tQHS  Factor  Clock Half Period  tHP  Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 ‐37C  ‐3D  ‐25E  DDR2‐533C  DDR2‐667D  ...

Page 22

... Impedance from CK/CK#  DQS/DQS# Low  tLZ(DQS)  Impedance from CK/CK#  Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 ‐37C  ‐3D  ‐25E  DDR2‐533C  DDR2‐667D  DDR2‐800E  DDR2‐800D  ...

Page 23

... Notes:   1. Input slew rate is 1 V/ns and AC timings are guaranteed for linear signal transitions.   Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 ‐37C  ‐3D  ‐25E  DDR2‐533C  ...

Page 24

... Supported only for industrial and automotive grades. TOPER must not be violated.    Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009   ...

Page 25

... Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 VDDQ DQ DQS ...

Page 26

... IS43DR81280A ‐25EBLI    IS43DR16640A ‐25EBLI  5‐5‐5  IS43DR81280A ‐25DBLI  128Mb x 8    IS43DR16640A ‐25DBLI  64Mb x 16   = ‐40°C to +85°C  A CL‐t ‐t   ...

Page 27

... IS43DR81280A, IS43/46DR16640A   PACKAGE OUTLINE DRAWING 60-ball FBGA: Fine Pitch Ball Grid Array Outline (x8) Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009 units (mm)   27 ...

Page 28

... IS43DR81280A, IS43/46DR16640A   84-ball FBGA: Fine Pitch Ball Grid Array Outline (x16) Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com – Rev. 00A, 12/11/2009   28 ...

Related keywords