2sc5783 Sanyo Semiconductor Corporation, 2sc5783 Datasheet
2sc5783
Manufacturer Part Number
2sc5783
Description
2sc5783
Manufacturer
Sanyo Semiconductor Corporation
Datasheet
1.2SC5783.pdf
(6 pages)
注文コード No. N 7 3 2 3
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
特長
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
単体品名表示：NL
コレクタ・ベース電圧
コレクタ・エミッタ電圧
エミッタ・ベース電圧
コレクタ電流
コレクタ損失
接合部温度
保存周囲温度
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
利得帯域幅積
本製品は、高周波
プロセスを採用して
います。静電気等へ
の影響を受けやすく
なっていますので取
扱いにご注意下さい。
・低雑音である
・しゃ断周波数が高い：f T =6.0GHz typ （ V CE =1V） 。
・低電圧動作。
・超小型、薄型フラットリードパッケージ （1.4mm × 0.8mm × 0.6mm） 。
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 （生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途） に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
2SC5783
：NF=1.5dB typ （ f=2GHz） 。
：f T =10.5GHz typ （ V CE =3V） 。
V CBO
V CEO
V EBO
I C
P C
Tj
Tstg
I CBO
I EBO
h FE
f T 1
f T 2
NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ
高周波低雑音増幅 , 発振用
V CB =5V, I E =0
V EB =1V, I C =0
V CE =1V, I C =5mA
V CE =1V, I C =5mA
V CE =3V, I C =40mA
2SC5783
外形図 2159
(unit : mm)
D2502 TS IM ◎佐藤 TA-100015
0.25
0.45
1
3
0.2
1.4
2
− 55 ∼＋ 150
min
100
4.5
8.5
10.5
100
150
typ
6.0
80
9
4
2
次ページへ続く。
0.1
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : SSFP
No.7323-1/6
mW
unit
mA
No.
℃
℃
V
V
V
max
160
1.0
10
D2502
N 7 3 2 3
GHz
GHz
unit
nA
A
新
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Sanyo Semiconductor Corporation
Datasheet:
2sc5783 Summary of contents
Page 1
... NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ ...
Page 2
... 2SC5783 Cob V CB =1V, f=1MHz Cre V CB =1V, f=1MHz S21e =1V =5mA, f=2GHz S21e =3V =40mA, f=2GHz =1V =7mA, f=2GHz 80 70 ...
Page 3
... 120 100 100 周囲温度 2SC5783 10 f=1GHz 100 1.0 IT04901 100 1.0 IT04903 ...
Page 4
... 3.551 166.21 0.057 3.440 153.76 0.107 2.965 131.85 0.184 2.540 114.12 0.223 2.142 100.22 0.242 1 ...
Page 5
... 28.838 128.15 0.032 17.546 109.10 0.043 9.441 94.43 0.062 6.375 86.16 0.082 4.814 80.54 0.102 3.908 75.09 ...
Page 6
... にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 2SC5783 ...