cph3326 Sanyo Semiconductor Corporation, cph3326 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: cph3326
• Description: P-channel Silicon Mosfet
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

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Package Dimensions
unit : mm
2152A
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
1
--0.50
--0.45
--0.40
--0.35
--0.30
--0.25
--0.20
--0.15
--0.10
--0.05
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0
0
0
3
2.9
1.9
--0.2
--2
2
Parameter
0.4
--0.4
--4
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--0.6
--6
R DS (on) -- V GS
I D -- V DS
--0.8
--8
0.15
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : CPH3
--1.0
--10
--1.2
--12
0.05
Symbol
V SD
Qgs
Qgd
Qg
--1.4
--14
V GS = --2.0V
--1.6
--16
Ta=25 C
I D = --0.25A
V DS =--50V, V GS =- -10V, I D =--0.5A
V DS =--50V, V GS =- -10V, I D =--0.5A
V DS =--50V, V GS =- -10V, I D =--0.5A
I S =--0.5A, V GS =0
--1.8
--18
IT07467
IT07469
CPH3326
--2.0
--20
Conditions
--1.0
--0.9
--0.8
--0.7
--0.6
--0.5
--0.4
--0.3
--0.2
--0.1
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
Switching Time Test Circuit
0
--60
0
V DS = --10V
--40
--10V
--0.5
P.G
0V
--20
PW=10 s
D.C. 1%
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- C
V IN
--1.0
0
min
R DS (on) -- Ta
20
I D -- V GS
V IN
--1.5
40
G
50
Ratings
typ
--0.87
60
--2.0
4.8
0.8
0.8
V DD = --50V
80
D
--2.5
S
max
100
I D = --250mA
R L =200
--1.2
CPH3326
120
No.7913-2/4
--3.0
V OUT
140
IT07468
IT07470
Unit
nC
nC
nC
V
--3.5
160