2di50a-140 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 2di50a-140 Datasheet
2di50a-140
Manufacturer Part Number
2di50a-140
Description
Power Transistor Module
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet
1.2DI50A-140.pdf
(3 pages)
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Part Number:
2DI50A-140
Manufacturer:
FERRAZ
Quantity:
1 000
Part Number:
2DI50A-140
Manufacturer:
FUJITSU/富士通
Quantity:
20 000
Part Number:
2DI50A-140
Quantity:
50
2DI50A-140
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧 AC.1min
締付けトルク
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
逆回復時間
絶縁形
絶縁形
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
ASO
ASO
ASO が広い
ASO
ASO
絶縁形
絶縁形 Insulated Type
絶縁形
高耐圧
高耐圧
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード内蔵
フリーホイリングダイオード
高耐圧
高耐圧 High Voltage
高耐圧
ACモータ
ACモータ
ACモータ制御
ACモータ
ACモータ
DCモータ
DCモータ
DCモータ制御
DCモータ
DCモータ
無停電電源
無停電電源
無停電電源 Uninterruptible Power Supply
熱 抵 抗
無停電電源
無停電電源
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
電気的特性
電気的特性
Item
大電力
大電力スイッチング
大電力
電気的特性
電気的特性
電気的特性
大電力
大電力
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
用途
用途
用途: : : : : Applications
用途
用途
特長
特長
特長
特長
特長: : : : : Features
が広い
が広い
が広い
が広い Excellent Safe OperatingArea
制御
制御
制御 AC Motor Control
制御
制御
制御
制御 DC Motor Control
制御
スイッチング
スイッチング
スイッチング Power Switching
スイッチング
:
Electrical characteristics (T
: Maximum ratings and characteristic
DC
DC
two Transistor
D C
1ms
1ms
one Transistor
内蔵
内蔵
内蔵
内蔵 Including Free Wheeling Diode
Symbol
V
V
V
V
I
I
-I
I
I
P
P
T
T
m
Viso
Mounting *1
Terminal *1
B
R
R
R
C
CP
BP
Symbol
C
C
C
j
stg
Symbol
V
V
V
V
V
I
I
-V
h
V
V
t
t
t
t
CBO
CEO
CEO(SUS)
EBO
CBO
EBO
on
stg
f
rr
th(j-c)
th(j-c)
th(c-f)
FE
CBO
CEO
CEO(SUS)
CEX(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
CE
(50A)
c
=25°C unless otherwise specified)
Rating
With Thermal Compound
-40 to +125
Transistor
Diode
Test Conditions
I
I
I
I
V
V
-I
I
I
I
I
I
-Ic=50A,V
CBO
C
C
EBO
C
C
C
B1
B2
Test Conditions
C
CBO
EBO
1400
1400
+150
2500
=50A -I
= 10mA
= 50A, V
= 50A, I
= 50A, Pw=500 µs
100
400
800
265
= +1.5A
= 50A
= -4.5A
10
50
50
= 10mA
= 100mA
3
6
3.5
3.5
= 10V
= 1200V
-
B
B
BE
=-4.5A
CE
= 1.5A
=-6V, -di/dt=50A/ µ s
= 5V
Unit
°C
°C
N・m
N・m
V
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
g
V
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
CASE
CASE
CASE
CASE
CASE
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
UL
UL
UL
UL
UL
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路 : : : : :
Equivalent Circuit Schematic
Min.
Min.
1400
1400
1200
10
70
2.5to3.0N・m[25to30kgf・cm](M5)
M206
M206
M206
M206
M206
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
Typ.
Typ.
0.06
-
100
Max.
Max.
0.90
15.0
0.31
1.0
2.0
2.5
3.5
3.0
3.0
0.5
Units
Units
°C/W
°C/W
°C/W
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
V
V
µs
µs
µs
1